電力電子技術(shù)總結

時(shí)間:2024-09-12 07:41:22 電子技術(shù)/半導體/集成電路 我要投稿
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電力電子技術(shù)總結

  總結是對過(guò)去一定時(shí)期的工作、學(xué)習或思想情況進(jìn)行回顧、分析,并做出客觀(guān)評價(jià)的書(shū)面材料,它可以促使我們思考,快快來(lái)寫(xiě)一份總結吧。那么如何把總結寫(xiě)出新花樣呢?下面是小編為大家收集的電力電子技術(shù)總結,歡迎大家借鑒與參考,希望對大家有所幫助。

電力電子技術(shù)總結

電力電子技術(shù)總結1

  一、基本概念

  1.電力電子器件:是指可直接用于處理電能的主電路中,實(shí)現電能的變換或控制的電子器件。

  2.電力電子電路也被稱(chēng)為電力電子系統,由控制電路、驅動(dòng)電路、檢測電路和以電力電子器件為核心的主電路組成。

  3.電力電子器件的分類(lèi)

 。1)按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度,可分為半控型器件、全控型器件和不控型器件。

 。2)按照驅動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的信號性質(zhì),又可以將電力電子器件分為電流驅動(dòng)型和電壓驅動(dòng)型器件。

 。3)電力電子器件還可以按照器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分為單極型器件、雙極型器件和復合型器件。

  4.電導調制效應:當PN結上流過(guò)的正向電流較小時(shí),二極管的電阻主要是作為基片的低摻雜N區的歐姆電阻,其阻值較高且為常量,因而管壓降隨正向電流的上升而增加;當PN結上流過(guò)的正向電流較大時(shí),注入并積累在低摻雜N區的少子空穴濃度將很大,為了維持半導體電中性條件,其多子濃度也相應大幅度增加,使其電阻率明顯下降,也就是電導率大大增加,這就是電導調制效應。

  5.方向擊穿:PN結具有一定的反向耐壓能力,但當施加的反向電壓過(guò)大,反向電流將會(huì )急劇增大,破壞PN結反向偏置為截止的工作狀態(tài),這就叫反向擊穿。

  6.熱擊穿:當反向未被限制住,使得反向電流和反向電壓的乘積超過(guò)了PN結容許的耗散功率,就會(huì )因熱量散發(fā)不出去而導致PN結溫度上升,直至過(guò)熱而燒毀,就是熱擊穿。

  7.電力二極管的主要參數

  正向平均電流IF(AV):指電力二極管長(cháng)期運行時(shí),在指定的管殼溫度和散熱條件下,其允許流過(guò)的最大工頻正弦半波電流的平均值。

  通過(guò)對正弦半波電流的換算可知,正向平均電流IF(AV)對應的有效值為1.57IF(AV)。

  8.電力二極管的主要類(lèi)型:普通二極管(又稱(chēng)整流二極管)、快速恢復二極管(FRD)和肖特基二極管(SRD)。

  9.晶閘管:是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng),又可稱(chēng)為可控硅整流管(SCR)。10.晶閘管的基本特性:

 。1)當晶閘管承受反向電壓時(shí),不論門(mén)極是否有觸發(fā)電流,晶閘管都不會(huì )導通。(2)當晶閘管承受正向電壓時(shí),僅在門(mén)極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導通。

 。3)晶閘管一旦導通,門(mén)極就失去控制作用,不能門(mén)極觸發(fā)電流是否存在,晶閘管都保持導通。

 。4)若要使已導通的晶閘管關(guān)斷,只能利用外加電壓和外電路的作用使流過(guò)晶閘管的電流降到接近于零的某一數值以下。

  11.晶閘管的派生器件:快速晶閘管(FST)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導晶閘管(RCT)和光控晶閘管(LTT)。

  12.門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(GTO):它是晶閘管的一種派生器件,但可以通過(guò)門(mén)極施加負的脈沖電流使其關(guān)斷,屬于全控型器件。GTO是一種多元的功率集成器件,雖然外部同樣引出三個(gè)極,但內部則包含數十個(gè)甚至數百個(gè)共陽(yáng)極的小GTO元,這些GTO元的陰極和門(mén)極則在器件內部并聯(lián)在一起。

  13.GTO與普通晶閘管不同點(diǎn):

 。1)在設計器件時(shí)使得2較大,這樣晶體管V2控制靈敏,使得GTO易于關(guān)斷。

 。2)使得導通時(shí)的12更接近于1。這樣使得GTO導通時(shí)飽和程度不深,更接近于臨界飽和,從而為門(mén)極控制關(guān)斷提供了有利條件。

 。3)多元集成結構使每個(gè)GTO元陰極面積很小,門(mén)極和陰極間的距離大為縮短,使得P2基區所謂的橫向電阻很小,從而使從門(mén)極抽出較大的電流成為可能。

  14.電力晶體管(GTR):譯為巨型晶體管,是一種耐高壓、大電流的雙極結型晶體管(BJT)。它由三層半導體(分別引出集電極、基極和發(fā)射極)形成的兩個(gè)PN結(集電結和發(fā)射結)構成,多采用NPN結構。

  15.GTR的二次擊穿現象:當GTR的集電極電壓升高至擊穿電壓時(shí),集電極電流迅速增大,這種首先出現的擊穿是雪崩擊穿,被稱(chēng)為一次擊穿。出現一次擊穿后,只要Ic不超過(guò)最大允許耗散功率相對應的限度,GTR一般不會(huì )損壞,工作特性也不會(huì )有什么變化。但實(shí)際應用中常常發(fā)現一次擊穿發(fā)生時(shí)如不有效地限制電流,Ic增大到某個(gè)臨界點(diǎn)時(shí)會(huì )突然急劇上升,同時(shí)伴隨著(zhù)電壓的陡然下降,這種現象稱(chēng)為二次擊穿。二次擊穿常常立即導致器件的永久損壞,或者工作特性明顯衰變,因而對GTR危害極大。

  16.電力場(chǎng)效應晶體管:也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOSFET,簡(jiǎn)稱(chēng)電力MOSFET。電力MOSFET在導通時(shí)只有一種極性的載流子(多子)參與導電,是單極型晶體管。

  17.MOSFET分類(lèi):

 。1)按導電溝道可分為P溝道和N溝道。

 。2)對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時(shí)才存在導電溝道的稱(chēng)為增強型;當柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導電溝道的稱(chēng)為耗盡型。在電力MOSFET中,主要是N溝道增強型。18.電力MOSFET的工作原理

 。1)當漏極接電源正端,源極接電源負端,柵極和源極間電壓為零時(shí),P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏,漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。

 。2)如果在柵極和源極之間加一正電壓UGS,由于柵極是絕緣的,所以并不會(huì )有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓卻會(huì )將其下面P區中的空穴推開(kāi),而將P區中的少子電子吸引到柵極下面的P區表面。

 。3)當UGS大于某一電壓值UT時(shí),柵極下P區表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度,從而使P型半導體反型而成N型半導體,形成反型層,該反型層形成N溝道而使PN結J1消失,漏極和源極導電。

  19.絕緣柵雙極晶體管(IGBT):綜合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)。

 。℅TR和GTO是雙極型電流驅動(dòng)器件,由于具有電導調制效應,所以其通流能力很強,但開(kāi)關(guān)速度較低,所需驅動(dòng)功率大,驅動(dòng)電路復雜。而電力MOSFET是單極型電壓驅動(dòng)器件,開(kāi)關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩定性好,所需驅動(dòng)功率小而且驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單。)

  20.IGBT開(kāi)通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間的電壓uGE決定。

 。1)當uGE為正且大于開(kāi)啟電壓UGE(th)時(shí),MOSFET內形成溝道,并為晶體管提供基極電流進(jìn)而是IGBT導通。

 。2)當柵極與發(fā)射極間施加反向電壓或不加信號,MOSFET內的溝道消失,晶體管的基極電流被切斷,使IGBT關(guān)斷。

  21.IGBT的擎住效應:IGBT內部結構中,由于NPN晶體管的基極與發(fā)射極之間存在體區短路電阻,P形體區的橫向空穴電流會(huì )在該電阻上產(chǎn)生壓降,相當于對J3結施加一個(gè)正向偏壓,在額定集電極電流范圍內,這個(gè)偏壓很小,不足以使J3開(kāi)通,然而一旦J3開(kāi)通,柵極就會(huì )失去對集電極電流的控制作用,導致集電極電流增大,造成器件功率過(guò)高而損壞。這種電流失控的現象,被稱(chēng)為擎住效應或自鎖效應。

  22.功率模塊:將多個(gè)相同的'電力電子器件或多個(gè)相互配合使用的不同電力電子器件封裝在一個(gè)模塊中,可以縮小裝置體積,降低成本,提高可靠性。

  23.功率集成電路:如果將電力電子器件與邏輯、控制、保護、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片上,則稱(chēng)為功率集成電路。

  24.驅動(dòng)電路的基本任務(wù):將信息電子電路傳來(lái)的信號按照其控制目標的要求,轉換為加在電力電子器件控制端和公共端之間,可以使其開(kāi)通或關(guān)斷的信號。

  25.晶閘管觸發(fā)電路應滿(mǎn)足以下要求:

 。1)觸發(fā)脈沖的寬度應保證晶閘管可靠導通。

 。2)觸發(fā)脈沖應有足夠的幅值。

 。3)所提供的觸發(fā)脈沖應不超過(guò)晶閘管門(mén)極的電壓、電流和功率定額。(4)應有良好的抗干擾性能、溫度穩定性及與主電路的電氣隔離。

  26.GTO的開(kāi)通控制與普通晶閘管相似,但對觸發(fā)脈沖前沿的幅值和陡度要求高,且一般需要在整個(gè)導通期間施加正門(mén)極電流。使GTO關(guān)斷需要施加負門(mén)極電流,對其幅值和陡度的要求更高。關(guān)斷后還應在門(mén)極施加約5V的負偏壓,以提高抗干擾能力。

  27.使GTR開(kāi)通的基極驅動(dòng)電流應使其處于準飽和導通狀態(tài),使之不進(jìn)入放大區和深飽和區。關(guān)斷GTR時(shí),施加一定的負基極電流有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗,關(guān)斷后同樣應在基射極之間施加一定幅值(6V左右)的負偏壓。

  28.電力電子裝置中可能發(fā)生的過(guò)電壓分為外因過(guò)電壓和內因過(guò)電壓兩類(lèi)。

  29.過(guò)流保護較常用的措施:采用快速熔斷器、直流快速斷路器和過(guò)電流繼電器。

  30.緩沖電路:又稱(chēng)為吸收電路。其作用是抑制電力電子器件的內因過(guò)電壓、du和di,減小器件的開(kāi)關(guān)損耗。

  dt或過(guò)電流dt

  31.按照器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況,將器件分為:(1)屬于單極型電力電子器件的有MOSFET和SIT等。

 。2)屬于雙極型電力電子器件的有電力二極管、晶閘管、GTO、GTR和SITH等。(3)屬于復合型電力電子器件的有IGBT和MCT。

  二、作業(yè)詳解:

  1.使晶閘管導通的條件是什么?

  答:使晶閘管導通的條件是:晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,并在門(mén)極施加觸發(fā)電流(脈沖);颍簎AK0且uGK0。

  2.維持晶閘管導通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導通變?yōu)殛P(guān)斷?答:維持晶閘管導通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導通的最小電流,即維持電流。

  要使晶閘管由導通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和外電路的作用使流過(guò)晶閘管的電流降到接近于零的某一數值以下,即降到維持電流以下,便可使導通的晶閘管關(guān)斷。

  7.IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的驅動(dòng)電路各有什么特點(diǎn)?

  答:IGBT驅動(dòng)電路的特點(diǎn)是:驅動(dòng)電路具有較小的輸出電阻,IGBT是電壓驅動(dòng)型器件,IGBT的驅動(dòng)多采用專(zhuān)用的混合集成驅動(dòng)器。

  GTR驅動(dòng)電路的特點(diǎn)是:驅動(dòng)電路提供的驅動(dòng)電流有足夠陡的前沿,并有一定的過(guò)沖,這樣可加速開(kāi)通過(guò)程,減小開(kāi)通損耗,關(guān)斷時(shí),驅動(dòng)電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動(dòng)電流,并加反偏截止電壓,以加速關(guān)斷速度。

  GTO驅動(dòng)電路的特點(diǎn)是:GTO要求其驅動(dòng)電路提供的驅動(dòng)電流的前沿應有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個(gè)導通期間施加正門(mén)極電流,關(guān)斷需施加負門(mén)極電流,幅值和陡度要求更高,其驅動(dòng)電路通常包括開(kāi)通驅動(dòng)電路,關(guān)斷驅動(dòng)電路和門(mén)極反偏電路三部分。

  電力MOSFET驅動(dòng)電路的特點(diǎn):要求驅動(dòng)電路具有較小的輸入電阻,驅動(dòng)功率小且電路簡(jiǎn)單。

  8.全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么?試分析RCD緩沖電路中各元件的作用。

  答:全控型器件緩沖電路的主要作用是抑制器件的內因過(guò)電壓,du減小器件的開(kāi)關(guān)損耗。

  RCD緩沖電路中,各元件的作用是:開(kāi)通時(shí),Cs經(jīng)Rs放電,Rs起到限制放電電流的作用;關(guān)斷時(shí),負載電流經(jīng)VDs從Cs分流,使dudtdt或過(guò)電流和didt,減小,抑制過(guò)電壓。

  9.試說(shuō)明IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET各自的優(yōu)缺點(diǎn)。答:對IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)的比較如下:

  器件優(yōu)點(diǎn)電壓、電流容量大,適用于大功率場(chǎng)GTO合,具有電導調制效應,其通流能力很強耐壓高,電流大,開(kāi)關(guān)特性好,通流能力強,飽和壓降低開(kāi)關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩定性電力MOSFET好,所需驅動(dòng)功率小且驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單,工作頻率高,不存在二次擊穿問(wèn)題開(kāi)關(guān)速度高,開(kāi)關(guān)損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態(tài)壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅動(dòng),驅動(dòng)功率小

  缺點(diǎn)電流關(guān)斷增益很小,關(guān)斷時(shí)門(mén)極負脈沖電流大,開(kāi)關(guān)速度低,驅動(dòng)功率大,驅動(dòng)電路復雜,開(kāi)關(guān)頻率低開(kāi)關(guān)速度低,為電流驅動(dòng),所需驅動(dòng)功率大,驅動(dòng)電路復雜,存在二次擊穿問(wèn)題電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置GTRIGBT開(kāi)關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,電流容量不及GTO

電力電子技術(shù)總結2

  高中學(xué)生已經(jīng)具備了一定的物理、化學(xué)、數學(xué)等方面的知識,思維也更有邏輯性,所以在電子控制技術(shù)課的教學(xué)中操作不僅僅是一個(gè)重點(diǎn),另外,引導他們探究問(wèn)題、解決問(wèn)題,培養他們的技術(shù)素養也是一個(gè)重要的方面!皩Ь卡D操作―反饋”模式不僅能培養他們的實(shí)踐操作技能,同時(shí)也培養了他們探究問(wèn)題、解決問(wèn)題的能力。導究是指導學(xué)生研究問(wèn)題,找到問(wèn)題,學(xué)會(huì )解決的方法,操作是在實(shí)踐中解決問(wèn)題,反饋是對出現的問(wèn)題及時(shí)糾正和指導。教師在其中指導學(xué)生,起到樞紐的作用,讓學(xué)生成為研究實(shí)踐中的主體。

  下面談?wù)勛约涸陔娮涌刂萍夹g(shù)教學(xué)中的一些方法。

  一、引導學(xué)生探究學(xué)習,培養學(xué)習興趣

  電子控制技術(shù)課注重學(xué)生動(dòng)手能力的培養,但是光動(dòng)手不動(dòng)腦,動(dòng)手的水平也得不到提高,因此,在教學(xué)過(guò)程中要充分調動(dòng)他們的積極性,在教學(xué)中我以“教學(xué)片,電子小制作,電子元器件的認識”引入新的知識,例如:引導學(xué)生在試驗箱上進(jìn)行《電子控制報警器模型》實(shí)驗和《光控路燈模型》實(shí)驗中引導學(xué)生從外形上認識常見(jiàn)的干簧管、光敏電阻等。使學(xué)生產(chǎn)生興趣。深深地體會(huì )到電子控制技術(shù)課,樂(lè )在其中。使學(xué)生產(chǎn)生自覺(jué)動(dòng)手制作的欲望,使學(xué)生獲得自主探究學(xué)習的機會(huì )。通過(guò)實(shí)驗使學(xué)生了解電子元器件在電子控制中的作用。激發(fā)學(xué)生進(jìn)行科學(xué)研究的興趣,在教學(xué)中可以引導他們充分運用所學(xué)知識和技能發(fā)揮他們的主觀(guān)能動(dòng)性,主動(dòng)地去進(jìn)行學(xué)習,研究,從而更好的掌握所學(xué)的知識。

  二、多媒體手段輔助教學(xué),優(yōu)化課堂教學(xué)效果,實(shí)物演示,提高學(xué)生操作技能

  結合不同的教學(xué)內容,采用多媒體手段教學(xué),一目了然。既活躍課堂氣氛,又可以縮短教學(xué)時(shí)間,加大了課堂容量。更多的是分散了教學(xué)難點(diǎn),把紛繁的知識變的有序。例如:在講授“焊接技術(shù)”這一節知識時(shí),僅用語(yǔ)言表述很難講清楚,需要演示實(shí)驗、示范操作、動(dòng)手實(shí)踐才能達到的目標。我借助“焊接技術(shù)”錄像及示范操作使學(xué)生先學(xué)會(huì )線(xiàn)路板的識別,電子元器件的安裝方法及錫焊接、點(diǎn)錫焊接法。這樣把教學(xué)內容更具體,更形象地傳授給學(xué)生。因此,多媒體對課堂教學(xué)過(guò)程的優(yōu)化,起著(zhù)至關(guān)重要的作用。它具有豐富的表現力,有利于知識的同化。使學(xué)生更加充分,更容易理解焊接技術(shù)的要領(lǐng),很快掌握焊接方法。指導學(xué)生練習焊接方法,讓學(xué)生直觀(guān)感受,保證了學(xué)生獲得知識的可靠性和完整性。使學(xué)生真正參與到教與學(xué)的過(guò)程中去,成為教學(xué)的主體。

  知道了如何進(jìn)行操作并不代表學(xué)會(huì )了操作,實(shí)踐操作是培養學(xué)生實(shí)際操作能力的一個(gè)過(guò)程,要讓學(xué)生感覺(jué)真實(shí)的實(shí)踐過(guò)程。教師的演示是向學(xué)生講解操作的細節部分,操作中的經(jīng)驗以及容易出錯的地方,相當于慢動(dòng)作演示。例如對電子控制技術(shù)試驗箱的正確使用的教學(xué),在演示中一定要用正確的手勢和方法,因為演示的目的是要學(xué)生進(jìn)行模仿,任何一個(gè)錯誤的動(dòng)作都會(huì )給學(xué)生帶來(lái)不良的后果。在操作中一定要把握、組織好操作的步驟,把握好學(xué)習的氣氛,因為學(xué)生經(jīng)過(guò)學(xué)習后都有一種想要動(dòng)手的沖動(dòng),這時(shí)候一定要把握好學(xué)生的狀態(tài),在教師講解演示操作時(shí)要提醒學(xué)生注意觀(guān)察,調動(dòng)起學(xué)生的積極性,使學(xué)生順利完成多種電子實(shí)驗。操作開(kāi)始后還要到學(xué)生當中指導糾正錯誤。操作中提醒學(xué)生一定要注意安全問(wèn)題,及時(shí)糾正危險的錯誤操作,讓學(xué)生養成良好的操作習慣,不違規操作。

  學(xué)生操作中要使學(xué)生運用所學(xué)的知識技能和操作方法去體會(huì )實(shí)踐的過(guò)程,體會(huì )其中的樂(lè )趣,在實(shí)踐的過(guò)程中逐步將所學(xué)的知識技能轉化為自己的.能力,培養了他們的動(dòng)手能力和技術(shù)素養。

  三、分組學(xué)習,加強學(xué)生間的相互交流

  電子控制技術(shù)是一門(mén)實(shí)踐性很強的學(xué)科,在教學(xué)中我們不僅向學(xué)生傳授知識,更突出了對學(xué)生實(shí)踐能力、創(chuàng )新能力的培養,鼓勵學(xué)生設計一些電子小制作,培養學(xué)生的技術(shù)素養,使學(xué)生的學(xué)習更加生動(dòng)活潑,鼓勵學(xué)生進(jìn)行實(shí)踐的學(xué)習,探索的學(xué)習、合作的學(xué)習。教學(xué)應該是形式多樣的,除課堂講授外我們還分組討論,分組檢測,實(shí)驗,進(jìn)行操作實(shí)踐等。我在教學(xué)中,針對教學(xué)內容讓學(xué)生2~3人一小組,進(jìn)行檢測,實(shí)驗,制作電子作品。這樣既加強了學(xué)生之間的相互配合,相互交流同時(shí)還培養了團結協(xié)作的精神,促進(jìn)創(chuàng )新思維。這樣各組同學(xué)在思想和技能上的交流,有利于學(xué)生共同進(jìn)步,提高了教學(xué)質(zhì)量。

  四、當堂講評,及時(shí)反饋

  課堂評價(jià)是教學(xué)中不可忽視的非常有意義的工作。及時(shí)分析、總結學(xué)習過(guò)程的得與失,可以培養學(xué)生嚴謹的學(xué)習態(tài)度,不斷提高教學(xué)的質(zhì)量,使學(xué)生自身素質(zhì)不斷提升。例如:實(shí)驗結束后我們對好的電子作品進(jìn)行展示,對有創(chuàng )新的電路分析,加深學(xué)生對電子控制的理解和掌握。反饋可以對學(xué)生學(xué)習的知識和技能進(jìn)行檢驗,及時(shí)糾正,同時(shí)也可以進(jìn)行歸納總結。在教學(xué)中我們對學(xué)生在電子控制技術(shù)試驗箱上所進(jìn)行的實(shí)驗,做到及時(shí)掌握學(xué)生的學(xué)習情況,針對出現的情況及時(shí)調整,最后進(jìn)行歸納總結,完成整個(gè)教學(xué)過(guò)程。

電力電子技術(shù)總結3

  電子技術(shù)基礎是一門(mén)課時(shí)短、內容多、輕理論重實(shí)踐的課程,對學(xué)生的知識運用能力提出了很高的要求。由于課程本身的特點(diǎn),課程進(jìn)度稍快往往就會(huì )使學(xué)生不能很好地掌握知識,學(xué)生的學(xué)習存在困難,致使教學(xué)效果不理想。因此要想改變該課程的教學(xué)現狀,就要總結經(jīng)驗,積極探尋新的課程教學(xué)方法。

  一、電子技術(shù)基礎課程教學(xué)現狀分析

  隨著(zhù)現代社會(huì )的飛速發(fā)展,對電子技術(shù)的要求也在逐步提高,因此電子技術(shù)基礎課程的學(xué)習,不僅能使學(xué)生掌握基本的電子知識,為后續學(xué)習打下基礎,也順應了社會(huì )發(fā)展的需求。但是現階段本課程教學(xué)效果并不理想。由于這門(mén)課程是電子技術(shù)的一門(mén)基礎課程,涉及的知識較多,而真正的教學(xué)過(guò)程課時(shí)卻較少,學(xué)生對知識的掌握不夠,實(shí)踐能力也較差,遠遠達不到預期目標。

  二、電子技術(shù)基礎課程教學(xué)方法改進(jìn)與創(chuàng )新

  1、講解形象直觀(guān),激發(fā)學(xué)習興趣

  電子技術(shù)基礎這門(mén)課程涉及的概念與理論較多,知識點(diǎn)抽象難懂,學(xué)生很難通過(guò)教師的表述理解透徹。此外,在課堂上學(xué)生聽(tīng)懂了,并不代表知識點(diǎn)理解了、掌握了,還需要教師通過(guò)一些特殊的方式讓學(xué)生加深理解,增強記憶,提高能力;通過(guò)一些更為直觀(guān)的教具、圖片,使學(xué)生將理論與實(shí)際物品結合起來(lái),利用計算機對聲音、圖像、文字、flash的處理能力,形成聲、圖、文并茂的形象化教學(xué),充分調動(dòng)學(xué)生學(xué)習的積極性。

  2、采用啟發(fā)式教學(xué)模式

  在課堂教學(xué)環(huán)節中,啟發(fā)式教學(xué)有助于引發(fā)學(xué)生的思考以及學(xué)習興趣。對于電子技術(shù)基礎這門(mén)課程,教師在運用啟發(fā)式教學(xué)模式時(shí)就是要從最簡(jiǎn)單的電路入手,分析電路的組成以及工作原理,讓學(xué)生自行查找電路存在的問(wèn)題并指出解決的方法,并對改進(jìn)后的電路的特點(diǎn)進(jìn)行總結,啟發(fā)學(xué)生思考由電路結構的改變給電路性能帶來(lái)的改變;通過(guò)一系列的分析問(wèn)題、解決問(wèn)題、歸納總結的方式推進(jìn)教學(xué)的進(jìn)程,充分調動(dòng)學(xué)生的學(xué)習熱情與積極性,也使學(xué)生對知識點(diǎn)的理解更加透徹,形成一種思維模式,便于以后問(wèn)題的解決。

  3、適當引入電子技術(shù)學(xué)史,緊密聯(lián)系時(shí)代前沿實(shí)際

  在教學(xué)中適當引入電子技術(shù)學(xué)史,有助于學(xué)生了解在電子線(xiàn)路研究發(fā)展的歷史。新產(chǎn)品,新發(fā)現的'推出,也是新思維模式的形成。了解這些發(fā)展史也有助于學(xué)生在學(xué)習電子線(xiàn)路時(shí)形成新的思維,學(xué)會(huì )發(fā)散思維看待電子技術(shù)問(wèn)題,并且有利于學(xué)生的科技創(chuàng )新。這就要求教師在教學(xué)過(guò)程中從科學(xué)的角度解讀一些電子線(xiàn)路規律的建立過(guò)程,創(chuàng )設情境,如果你是科學(xué)家,該怎么解決類(lèi)似的問(wèn)題,從而介紹科學(xué)進(jìn)程中遇到的問(wèn)題,以及科學(xué)家解決問(wèn)題的思路與方法。電子線(xiàn)路基礎這門(mén)課程的實(shí)踐性與實(shí)用性很強,學(xué)生也能通過(guò)學(xué)習電子技術(shù)學(xué)史,了解到電子技術(shù)與生產(chǎn)生活、科學(xué)實(shí)際密切相關(guān),從而在學(xué)習該課程的過(guò)程中,更加注重實(shí)驗。鼓勵學(xué)生要勇于創(chuàng )新,站在時(shí)代的前沿思考問(wèn)題,不斷將新的知識、新的技術(shù)充實(shí)到電子科技方面,使學(xué)生的眼界更加開(kāi)闊,學(xué)習興趣更加濃厚。

  4、理論聯(lián)系實(shí)際,增強實(shí)踐能力

  電子線(xiàn)路基礎這門(mén)課程,在生活中的實(shí)用性很強,這就對學(xué)生的實(shí)踐能力提出了新要求。因此在有限的課時(shí)中,既要完成理論知識的建立,又要通過(guò)設計不同的實(shí)驗激發(fā)學(xué)生的學(xué)習興趣,鍛煉學(xué)生的動(dòng)手實(shí)踐能力。在進(jìn)行課堂演示實(shí)驗時(shí),教師要邀請學(xué)生參與其中,共同解決實(shí)驗中出現的問(wèn)題。

  5、靈活運用教材,寓教于樂(lè )

  教材是教學(xué)的參照范本。在教學(xué)過(guò)程中,教師應該以學(xué)生為主體,依據學(xué)生的特點(diǎn),恰當地選取教材,制訂合適的教學(xué)計劃。對于學(xué)生自主能力差,思維懶惰等問(wèn)題,教師在教材的選擇上應更加注重其實(shí)用性,在教學(xué)過(guò)程中要改革教學(xué)模式,運用現代化教學(xué)技術(shù),依據本學(xué)科的特點(diǎn),制訂更為有趣的教學(xué)計劃,增加與學(xué)生的互動(dòng)環(huán)節,制造輕松愉悅的學(xué)習氛圍,大大提升學(xué)生的學(xué)習效率。

  三、小結

  電子線(xiàn)路基礎對于學(xué)生以后的專(zhuān)業(yè)知識的學(xué)習以及實(shí)際應用都有很重要的作用,因此改變教學(xué)方法,提升教學(xué)效果是教學(xué)的重中之重。作為一門(mén)系統理論課程,該課程要求學(xué)生不僅要有牢固的理論基礎,更要有很強的實(shí)踐動(dòng)手能力。因此在教學(xué)過(guò)程中,要依據學(xué)生的特點(diǎn),改革教學(xué)模式,運用多種方法提升教學(xué)效率。

電力電子技術(shù)總結4

  與計算機技術(shù)結合緊密電子測量技術(shù)的高速發(fā)展離不開(kāi)計算機技術(shù)的大力支持,因此電子測量技術(shù)和計算機技術(shù)的緊密集合是又一個(gè)應用優(yōu)點(diǎn)。在進(jìn)行電子測量的過(guò)程中,具體的測量結果和需要控制的信號主要是電信號,這樣就使得整個(gè)電子測量的信號能夠很好地利用D/A、A/D變換來(lái)實(shí)現和計算機的連接。微型計算機的不斷發(fā)展,讓電子測量?jì)x器能夠更加便捷地攜帶,能夠對測量的數據、結果以及變化情況進(jìn)行記錄和保存,體現了電子測量技術(shù)多功能、高性能的特點(diǎn)。

  客戶(hù)不必要對被測對象的具置和測量過(guò)程進(jìn)行了解,就能夠利用軟件平臺技術(shù)將整個(gè)測量語(yǔ)言集成到整個(gè)軟件平臺系統中來(lái)?偩(xiàn)接口技術(shù)總線(xiàn)是電子測量系統中測量的關(guān)鍵和基礎,能夠實(shí)現整個(gè)電子測量技術(shù)的組合化、標準化和模塊化[6]。電子測量技術(shù)的發(fā)展離不開(kāi)總線(xiàn)接口技術(shù),總線(xiàn)系統能夠組建整個(gè)電子測量系統,從而確保整個(gè)系統的軟件、硬件能夠得到兼容和互換,這些將是今后電子測量技術(shù)發(fā)展中的核心研究任務(wù)和關(guān)鍵技術(shù)。

  總線(xiàn)接口技術(shù)的應用能夠讓整個(gè)電子測量系統的測量速度得到很大的.提高[7],同時(shí)減小儀器設備的自重和體積,為測量進(jìn)程提供足夠的便捷,還能夠很好地結合計算機的作用,最終保證整個(gè)電子測量及時(shí)能夠進(jìn)入到一個(gè)全新的發(fā)展時(shí)期?偩(xiàn)接口技術(shù)的可靠性高、系統設計簡(jiǎn)單,并且維護性?xún)?yōu)良,還能夠進(jìn)行簡(jiǎn)便的升級換代,因此在今后的電子測量技術(shù)發(fā)展過(guò)程中,總線(xiàn)接口技術(shù)會(huì )得到更多的應用。

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