電子技術(shù)基礎

時(shí)間:2022-07-02 07:23:03 電子技術(shù)/半導體/集成電路 我要投稿

電子技術(shù)基礎

  電子技術(shù)基礎

  1、半導體的導電能力隨溫度變化而變化;

  2、P型半導體又稱(chēng)為空穴半型半導體;

  3、PN結的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做正偏;

  4、PN結的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做反偏;

  5、PN結正向偏值時(shí)處于導通狀態(tài);

  6、PN結反向偏值時(shí)處于截止狀態(tài);

  7、硅二極管的正向電壓為0.7V,鍺管為0.3V;

  8、對于質(zhì)量良好的二極管,其正向電阻一般為幾百歐姆;

  9、穩壓二極管廣泛應用于穩壓電源與限幅電路中;

  10、變容二極管的反向偏壓越大,其結電容越大;

  電子技術(shù)基礎

  1、晶體管具有電流放大作用的內部條件是基區很薄、集電結面積大;

  2、晶體管放大作用的實(shí)質(zhì)是用一個(gè)小電流控制一個(gè)大電流;

  3、晶體管的擊穿電壓與溫度有關(guān),會(huì )發(fā)生變化;

  4、PNP型與NPN型晶體管都可以看成是反向串聯(lián)的兩個(gè)PN結;

  5、帶阻尼晶體管是將晶體管、阻尼二極管、與保護電阻封裝在一起構成的;

  6、差分對管是將兩只性能參數相同的晶體管封裝在一起構成的;

  7、達林頓管的放大系數很高,主要用于高增益放大電路等;

  8、場(chǎng)效應晶體管可分為結型和絕緣柵型兩大類(lèi);

  9、結型場(chǎng)效應不僅僅依靠溝道中的自由電子導電;

  10、場(chǎng)效應晶體管的輸出特性曲線(xiàn)可分為四個(gè)區域;

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