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模擬電子技術(shù)基礎問(wèn)題
模擬電子技術(shù)以晶體管、場(chǎng)效應管等電子器件為基礎，以單元電路、集成電路的分析和設計為主導，研究各種不同電路的結構、工作原理、參數分析及應用。下面是小編為大家收集整理的模擬電子技術(shù)基礎問(wèn)題，歡迎閱讀。
模擬電子技術(shù)基礎問(wèn)題1
1、空穴是一種載流子嗎？空穴導電時(shí)電子運動(dòng)嗎？
答：不是，但是在它的運動(dòng)中可以將其等效為載流子�？昭▽щ姇r(shí)等電量的電子會(huì )沿其反方向運動(dòng)。
2、制備雜質(zhì)半導體時(shí)一般按什么比例在本征半導體中摻雜？
答：按百萬(wàn)分之一數量級的比例摻入。
3、什么是N型半導體？什么是P型半導體？當兩種半導體制作在一起時(shí)會(huì )產(chǎn)生什么現象？
答：多數載子為自由電子的半導體叫N型半導體。反之，多數載子為空穴的半導體叫P型半導體。P型半導體與N型半導體接合后 便會(huì )形成P-N結。
4、PN結最主要的物理特性是什么？
答：?jiǎn)蜗驅щ娔芰洼^為敏感的溫度特性。
5、半導體材料制作電子器件與傳統的真空電子器件相比有什么特點(diǎn)？
答：頻率特性好、體積小、功耗小，便于電路的集成化產(chǎn)品的袖珍化，此外在堅固抗震可靠等方面也特別突出;但是在失真度和穩定性等方面不及真空器件。
6、什么是本征半導體和雜質(zhì)半導體？
答：純凈的半導體就是本征半導體，在元素周期表中它們一般都是中價(jià)元素。在本征半導體中按極小的比例摻入高一價(jià)或低一價(jià)的雜質(zhì)元素之后便獲得雜質(zhì)半導體。
7、PN結還有那些名稱(chēng)？
答：空間電荷區、阻擋層、耗盡層等。
8、PN結上所加端電壓與電流是線(xiàn)性的嗎？它為什么具有單向導電性？
答：不是線(xiàn)性的，加上正向電壓時(shí)，P區的空穴與N區的電子在正向電壓所建立的電場(chǎng)下相互吸引產(chǎn)生復合現象，導致阻擋層變薄，正向電流隨電壓的增長(cháng)按指數規律增長(cháng)，宏觀(guān)上呈現導通狀態(tài)，而加上反向電壓時(shí)，情況與前述正好相反，阻擋層變厚，電流幾乎完全為零，宏觀(guān)上呈現截止狀態(tài)。這就是PN結的單向導電特性。
9、在PN結加反向電壓時(shí)果真沒(méi)有電流嗎？
答：并不是完全沒(méi)有電流，少數載流子在反向電壓的作用下產(chǎn)生極小的反向漏電流。
10、二極管最基本的技術(shù)參數是什么？
答：最大整流電流
11、二極管主要用途有哪些？
答：整流、檢波、穩壓等。
12、晶體管是通過(guò)什么方式來(lái)控制集電極電流的？
答：通過(guò)電流分配關(guān)系。
13、能否用兩只二極管相互反接來(lái)組成三極管？為什么？
答：否;兩只二極管相互反接是通過(guò)金屬電極相接，并沒(méi)有形成三極管所需要的.基區。
14、什么是三極管的穿透電流？它對放大器有什么影響？
答：當基極開(kāi)路時(shí)，集電極和發(fā)射極之間的電流就是穿透電流： ，其中 是集電極-基極反向漏電流， 和 都是由少數載流子的運動(dòng)產(chǎn)生的，所以對溫度非常敏感，當溫度升高時(shí)二者都將急劇增大。從而對放大器產(chǎn)生不利影響。因此在實(shí)際工作中要求它們越小越好。
15、三極管的門(mén)電壓一般是多少？
答：硅管一般為0.5伏。鍺管約為0.2伏。
16、放大電路放大電信號與放大鏡放大物體的意義相同嗎？
答：不相同。
17、在三極管組成的放大器中，基本偏置條件是什么？
答：發(fā)射結正偏;集電結反偏。
18、三極管輸入輸出特性曲線(xiàn)一般分為幾個(gè)什么區域？
答：一般分為放大區、飽和區和截止區。
19、放大電路的基本組態(tài)有幾種？它們分別是什么？
答：三種，分別是共發(fā)射極、共基極和共集電極。
20、在共發(fā)射極放大電路中，一般有那幾種偏置電路？
答：有上基偏、分壓式和集-基反饋式。
21、靜態(tài)工作點(diǎn)的確定對放大器有什么意義？
答：正確地確定靜態(tài)工作點(diǎn)能夠使放大器有最小的截止失真和飽和失真，同時(shí)還可以獲得最大的動(dòng)態(tài)范圍，提高三極管的使用效率。
22、放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)一般應該處于三極管輸入輸出特性曲線(xiàn)的什么區域？
答：通常應該處于三極管輸入輸出特性曲線(xiàn)的放大區中央。
23、在繪制放大器的直流通路時(shí)對電源和電容器應該任何對待？
答：電容器應該視為開(kāi)路，電源視為理想電源。
24、放大器的圖解法適合哪些放大器？
答：一般適合共射式上基偏單管放大器和推挽式功率放大器。
25、放大器的圖解法中的直流負載線(xiàn)和交流負載線(xiàn)各有什么意義？
答：直流負載線(xiàn)確定靜態(tài)時(shí)的直流通路參數。交流負載線(xiàn)的意義在于有交流信號時(shí)分析放大器輸出的最大有效幅值及波形失真等問(wèn)題。
26、如何評價(jià)放大電路的性能？有哪些主要指標？
答：放大電路的性能好壞一般由如下幾項指標確定：增益、輸入輸出電阻、通頻帶、失真度、信噪比。
27、為什么放大器的電壓增益的單位常常使用分貝？它和倍數之間有什么關(guān)系？
答：放大器的電壓增益的單位常常使用分貝的原因：（1）數值變小，讀寫(xiě)方便。（2）運算方便。（3）符合聽(tīng)感，估算方便。二者之間的關(guān)系是：
28、放大器的通頻帶是否越寬越好？為什么？
答：不！放大器通頻帶的寬度并不是越寬越好，關(guān)鍵是應該看放大器對所處理的信號頻率有無(wú)特別的要求！例如選頻放大器要求通頻帶就應該很窄，而一般的音頻放大器的通頻帶則比較寬。
29、放大器的輸入輸出電阻對放大器有什么影響？
答：放大器的輸入電阻應該越高越好，這樣可以提高輸入信號源的有效輸出，將信號源的內阻上所消耗的有效信號降低到最小的范圍。而輸出電阻則應該越低越好，這樣可以提高負載上的有效輸出信號比例。
30、設計放大器時(shí)，對輸入輸出電阻來(lái)說(shuō)，其取值原則是什么？
答：高入低出。
31、放大器的失真一般分為幾類(lèi)？
答：?jiǎn)喂芙涣餍⌒盘柗糯笃饕话阌酗柡褪д�、截止失真和非線(xiàn)性失真三類(lèi)、推挽功率放大器還可能存在交越失真。
32、放大器的工作點(diǎn)過(guò)高會(huì )引起什么樣的失真？工作點(diǎn)過(guò)低呢？
答：飽和失真、截止失真
33、放大器的非線(xiàn)性失真一般是哪些原因引起的？
答：工作點(diǎn)落在輸入特性曲線(xiàn)的非線(xiàn)性區、而輸入信號的極小值還沒(méi)有為零時(shí)會(huì )導致非線(xiàn)性失真。
34、微變等效電路分析法與圖解法在放大器的分析方面有什么區別？
答：可以比較方便準確地計算出放大器的輸入輸出電阻、電壓增益等。而圖解法則可以比較直觀(guān)地分析出放大器的工作點(diǎn)是否設置得適當，是否會(huì )產(chǎn)生什么樣的失真以及動(dòng)態(tài)范圍等。
35、用微變等效電路分析法分析放大電路的一般步驟是什么？
答：1）計算出Q點(diǎn)中的 ;2）根據公式 計算出三極管的 。3）用微變等效電路繪出放大器的交流通路。4）根據3）和相應的公式分別計算放大器的輸入輸出電阻、電壓增益等。
36、微變等效電路分析法的適用范圍是什么？
答：適合于分析任何簡(jiǎn)單或復雜的電路。只要其中的放大器件基本工作在線(xiàn)性范圍內。
37、微變等效電路分析法有什么局限性？
答：只能解決交流分量的計算問(wèn)題，不能用來(lái)確定Q點(diǎn)，也不能用以分析非線(xiàn)性失真及最大輸出幅度等問(wèn)題。
38、影響放大器的工作點(diǎn)的穩定性的主要因素有哪些？
答：元器件參數的溫度漂移、電源的波動(dòng)等。
39、在共發(fā)射極放大電路中一般采用什么方法穩定工作點(diǎn)？
答：引入電流串聯(lián)式負反饋。
40、單管放大電路為什么不能滿(mǎn)足多方面性能的要求？
答：放大能力有限;在輸入輸出電阻方面不能同時(shí)兼顧放大器與外界的良好匹配。
41、耦合電路的基本目的是什么？
答：讓有用的交流信號順利地在前后兩級放大器之間通過(guò)，同時(shí)在靜態(tài)方面起到良好地隔離。
42、多級放大電路的級間耦合一般有幾種方式？
答：一般有阻容耦合、變壓器耦合、直接耦合幾種方式
43、多級放大電路的總電壓增益等于什么？
答：等于各級增益之乘積。
44、多級放大電路輸入輸出電阻等于什么？
答：分別等于第一級的輸入電阻和末級的輸出電阻。
45、直接耦合放大電路的特殊問(wèn)題是什么？如何解決？
答：零點(diǎn)漂移是直接耦合放大電路最大的問(wèn)題。最根本的解決方法是用差分放大器。
46、為什么放大電路以三級為最常見(jiàn)？
答：級數太少放大能力不足，太多又難以解決零點(diǎn)漂移等問(wèn)題。
47、什么是零點(diǎn)漂移？引起它的主要原因有那些因素？其中最根本的是什么？
答：放大器的輸入信號為零時(shí)其輸出端仍舊有變化緩慢且無(wú)規律的輸出信號的現象。生產(chǎn)這種現象的主要原因是因為電路元器件參數受溫度影響而發(fā)生波動(dòng)從而導致Q點(diǎn)的不穩定，在多級放大器中由于采用直接耦合方式，會(huì )使Q點(diǎn)的波動(dòng)逐級傳遞和放大。
48、什么是反饋？什么是直流反饋和交流反饋？什么是正反饋和負反饋？
答：輸出信號通過(guò)一定的途徑又送回到輸入端被放大器重新處理的現象叫反饋。如果信號是直流則稱(chēng)為直流反饋;是交流則稱(chēng)為交流反饋，經(jīng)過(guò)再次處理之后使放大器的最后輸出比引入反饋之前更大則稱(chēng)為正反饋，反之，如果放大器的最后輸出比引入反饋之前更小，則稱(chēng)為負反饋。
49、為什么要引入反饋？
答：總的說(shuō)來(lái)是為了改善放大器的性能，引入正反饋是為了增強放大器對微弱信號的靈敏度或增加增益;而引入負反饋則是為了提高放大器的增益穩定性及工作點(diǎn)的穩定性、減小失真、改善輸入輸出電阻、拓寬通頻帶等等。
50、交流負反饋有哪四種組態(tài)？
答：分別是電流串聯(lián)、電流并聯(lián)、電壓串聯(lián)、電壓并聯(lián)四種組態(tài)。
模擬電子技術(shù)基礎問(wèn)題2
1、交流負反饋放大電路的的四種基本組態(tài)？
答：交流負反饋有四種組態(tài),即電壓串聯(lián)、電壓并聯(lián)、電流串聯(lián)和電流并聯(lián),有時(shí)也稱(chēng)為交流負反饋的四種方式。
2、放大電路中引入電流串聯(lián)負反饋后，將對性能產(chǎn)生什么樣的影響？
答：對電壓增益有削弱作用、提高其增益穩定性、降低失真、提高輸入電阻、提高輸出電阻等。
3、放大電路中引入電壓串聯(lián)負反饋后，將對性能產(chǎn)生什么樣的影響？
答：對電壓增益有削弱作用、能提高其增益穩定性、降低失真、降低輸入電阻、降低輸出電阻等。
4、放大電路中引入電流并聯(lián)負反饋后，將對性能產(chǎn)生什么樣的影響？
答：對電壓增益有削弱作用、能提高其增益穩定性、降低失真、降低輸入電阻、提高低輸出電阻等。
5、放大電路中引入電壓并聯(lián)負反饋后，將對性能產(chǎn)生什么樣的影響？
答：對電壓增益有削弱作用、能提高其增益穩定性、降低失真、降低輸入電阻、降低低輸出電阻等。
6、什么是深度負反饋？在深度負反饋條件下，如何估算放大倍數？
答：在反饋放大器中，如 中 ？1，則 ，滿(mǎn)足這種條件的放大器叫深度負反饋放大器，此時(shí)的放大器的閉環(huán)增益已經(jīng)完全由反饋系數決定。
7、負反饋愈深愈好嗎？什么是自激振蕩？什么樣的反饋放大電路容易產(chǎn)生自激振蕩？如何消除自激振蕩？
答：不是。當負反饋放大電路的閉環(huán)增益 中 =0，則 ，說(shuō)明電路在輸入量為0時(shí)就有輸出，稱(chēng)電路產(chǎn)生了自激振蕩。當信號頻率進(jìn)入低頻或高頻段時(shí)，由于附加相移的產(chǎn)生，負反饋放大電路容易產(chǎn)生自激振蕩。要消除自激振蕩，就必須破壞產(chǎn)生振蕩的條件，改變AF的頻率特性，使 。
8、放大電路中只能引入負反饋嗎？放大電路引入正反饋能改善性能嗎？
答：不是。能，如自舉電路，在引入負反饋的同時(shí)，引入合適的正反饋，以提高輸入電阻。
9、電壓跟隨器是一種什么組態(tài)的放大器？它能對輸入的電壓信號放大嗎？
答：電壓跟隨器是一種電壓串聯(lián)放大器。它不能對輸入的電壓信號放大。
10、電壓跟隨器是屬于什么類(lèi)型的反饋放大器？
答：電壓跟隨器是一種電壓串聯(lián)反饋放大器。
11、電壓跟隨器主要用途在哪里？
答：電壓跟隨器主要用途：一般用于多級放大電路的輸入級、輸出級，也可連接兩電路，起緩沖作用。
12、電壓跟隨器的輸入輸出特性如何？
答：電壓跟隨器的輸入輸出特性：輸入電阻高，輸出電阻低。
13、一般說(shuō)來(lái)功率放大器分為幾類(lèi)？
答：按照晶體管在整個(gè)周期導通角的不同，可以分為甲類(lèi)、乙類(lèi)、甲乙類(lèi)、丙類(lèi)、丁類(lèi)。按照電路結構不同，可以分為變壓器耦合、無(wú)輸出變壓器OTL、無(wú)輸出電容OCL、橋式推挽功率放大電路BTL。
14、甲、乙類(lèi)功率放大器各有什么特點(diǎn)？
答：甲類(lèi)功率放大器的特點(diǎn)：晶體管在信號的整個(gè)周期內均導通，功耗大，失真小;乙類(lèi)功率放大器的特點(diǎn)：晶體管僅在信號的`半個(gè)周期內導通，功耗小，失真大。
15、為什么乙類(lèi)功率放大器會(huì )產(chǎn)生交越失真？如何克服？
答：因為晶體管b-e間有開(kāi)啟電壓為Uon，當輸入電壓數值|ui|［ u］
16、為什么在設計功率放大器時(shí)必須考慮電源功耗、管耗、和效率等問(wèn)題？
答：因為功率放大電路是在電源電壓確定情況下，輸出盡可能答的功率。
17、從信號反饋的角度來(lái)看，振蕩器屬于什么類(lèi)型的電路？
答：從信號反饋的角度來(lái)看，振蕩器屬于正反饋放大電路。
18、產(chǎn)生正弦波振蕩的起振條件是什么？
答：產(chǎn)生正弦波振蕩的起振條件是 。
19、怎樣組成正弦波振蕩電路？它必須包括哪些部分？
答：正弦波電路的組成：放大電路、選頻網(wǎng)絡(luò )、正反饋網(wǎng)絡(luò )、穩幅環(huán)節。
20、在變壓器耦合的正弦波振蕩器中如何判斷電路能否起振？
答：在變壓器耦合的正弦波振蕩器中判斷電路能否起振的方法：瞬時(shí)極性法。
21、在三點(diǎn)式正弦波振蕩器中如何判斷電路能否起振？
答：在三點(diǎn)式正弦波振蕩器中判斷電路能否起振的方法：射同基反。
22、 什么是放大電路的頻率特性（或頻率響應）？
答：放大電路的性能（其中主要指電壓放大倍數Au）對不同頻率正弦輸入的穩態(tài)響應稱(chēng)為放大電路的頻率特性。
23、 頻率特性的分類(lèi)。
答：頻率特性分為幅頻特性和相頻特性。
24、 什么是幅頻特性？
答：幅頻特性是指放大倍數的大�。摧斎�、輸出正弦電壓幅度之比）隨頻率變化的特性。
25、 什么是相頻特性？
答：相頻特性是指輸出電壓與輸入電壓的相位差（即放大電路對信號電壓的相移）隨頻率變化的特性。
26、 什么是波特圖？
答：頻率特性曲線(xiàn)采用對數坐標時(shí)，稱(chēng)為波特圖。
27、 為什么用波特圖表示頻率特性？
答：因為在研究放大電路的頻率響應時(shí)，輸入信號的頻率范圍常常設置在幾赫到上百萬(wàn)兆赫;而放大電路的放大倍數可從幾倍到上百萬(wàn)倍;為了在同一坐標系中表示如此寬的變化范圍，所以采用對數坐標，即波特圖。
28、 什么是放大電路的上限截止頻率？
答：信號頻率上升到一定程度，放大倍數數值也將減小，使放大倍數數值等于0.707倍|Am|的頻率稱(chēng)為上限截止頻率fH。
29、什么是放大電路的下限截止頻率？
答：信號頻率下降到一定程度，放大倍數數值也將減小，使放大倍數數值等于0.707倍|Am|的頻率稱(chēng)為下限截止頻率fL。
30、 什么是半功率點(diǎn)？
答：當信號頻率為上限截止頻率fH或下限截止頻率fL時(shí)，輸出電壓放大倍數|Am|下降到0.707倍|Am|，即相應的輸出功率也降到幅值的一半，因此fH或fL也叫做半功率點(diǎn)。
31、什么是放大電路的通頻帶？
答：fH與fL之間形成的頻帶稱(chēng)為放大電路的通頻帶BW，可以表示為BW =fH-fL。
32、放大電路頻率特性不好會(huì )產(chǎn)生什么危害？
答：如果放大電路頻率特性不好，當輸入信號為非正弦波時(shí)，會(huì )使輸出信號波形與輸入波形不同，即產(chǎn)生波形失真，這種失真稱(chēng)為頻率失真。其中因為幅頻特性不好即不同頻率放大倍數的大小不同而產(chǎn)生的頻率失真，稱(chēng)為幅度失真;因為相頻特性不好即相移不與頻率成正比而產(chǎn)生的頻率失真，稱(chēng)為相位失真。
33、低頻放大電路的頻率特性主要受哪些因素的影響？
答：低頻放大電路的頻率特性主要受以下因素影響：⑴放大電路的級數越多，其通頻帶越窄，頻率特性越差。⑵在電路中引入負反饋，可以展寬通頻帶，提高頻率特性。⑶耦合電容、前級放大電路輸出電阻和后級放大電路的輸入電阻對頻率特性也有影響。
34、高通電路頻率特性有什么特點(diǎn)？
答：高通電路在低頻段放大倍數數值下降，且產(chǎn)生超前相移。
35、低通電路頻率特性有什么特點(diǎn)？
答：低通電路在高頻段放大倍數數值下降，且產(chǎn)生滯后相移。
36、對于放大電路，是通頻帶越寬越好嗎？
答：對于放大電路不是通頻帶越寬越好。
37、什么是功率放大電路？
答：功率放大電路是指能輸出足夠的功率以推動(dòng)負載工作的放大電路。因為它一般都位于多級放大電路的最后一級，所以又常稱(chēng)為末級放大電路。
38、對功率放大電路的主要技術(shù)性能有哪些要求？
答：功率放大電路是大信號放大電路，其主要技術(shù)性能要求是：⑴輸出功率要足夠大;⑵轉換效率要高;⑶三極管的功耗要小;⑷非線(xiàn)性失真要小;⑸三極管的工作要安全、可靠。
39、用什么方法分析功率放大電路？
答：由于功率放大電路工作在大信號條件下，所以不宜采用小信號等效電路分析法分析，通常采用大信號模型或者圖解法進(jìn)行分析，其中用得較多的是圖解法。
40、什么是三極管的甲類(lèi)工作狀態(tài)？
答：在放大電路中，當輸入信號為正弦波時(shí)，若三極管在信號的整個(gè)周期內均導通（即導通角θ=360°），則稱(chēng)之工作在甲類(lèi)狀態(tài)。
41、 什么是三極管的乙類(lèi)工作狀態(tài)？
答：在放大電路中，當輸入信號為正弦波時(shí)，若三極管僅在信號的正半周或負半周導通（即導通角θ=180°），則稱(chēng)之工作在乙類(lèi)狀態(tài)。
42、 什么是三極管的甲乙類(lèi)工作狀態(tài)？
答：在放大電路中，當輸入信號為正弦波時(shí)，若三極管的導通時(shí)間大于半個(gè)周期且小于周期（即導通角θ=180°～360°之間），則稱(chēng)之工作在甲乙類(lèi)狀態(tài)。
43、 什么是變壓器耦合功率放大電路？
答：既有輸入耦合變壓器，又有輸出耦合變壓器的功率放大電路稱(chēng)為變壓器耦合功率放大電路。
44、 變壓器耦合功率放大電路有什么優(yōu)缺點(diǎn)？
答：變壓器耦合功率放大電路的優(yōu)點(diǎn)是可以實(shí)現阻抗變換，缺點(diǎn)是體積龐大、笨重，消耗有色金屬，且頻率較低，低頻和高頻特性均較差。
45、什么是OCL電路？
答：OCL電路是指無(wú)輸出耦合電容的功率放大電路。
46、OCL電路有什么優(yōu)缺點(diǎn)？
答：OCL電路具有體積小重量輕，成本低，且頻率特性好的優(yōu)點(diǎn)。但是它需要兩組對稱(chēng)的正、負電源供電，在許多場(chǎng)合下顯得不夠方便。
47、什么是OTL電路？
答：OTL電路就是沒(méi)有輸出耦合變壓器的功率放大電路。
48、OTL電路有什么優(yōu)缺點(diǎn)？
答：OTL電路的優(yōu)點(diǎn)是只需要一組電源供電。缺點(diǎn)是需要能把一組電源變成了兩組對稱(chēng)正、負電源的大電容;低頻特性差。
49、什么是BTL電路？答：為了實(shí)現單電源供電，且不用變壓器和大電容，可采用橋式推挽功率放大電路，簡(jiǎn)稱(chēng)BTL電路。
50、BTL電路有什么優(yōu)缺點(diǎn)？答：BTL電路的優(yōu)點(diǎn)有只需要單電源供電，且不用變壓器和大電容，輸出功率高。缺點(diǎn)是所用管子數量多，很難做到管子特性理想對稱(chēng)，且管子總損耗大，轉換效率低。
模擬電子技術(shù)基礎問(wèn)題3
一、判斷題
1、電壓，也稱(chēng)作電勢差或電位差，是衡量單位電荷在靜電場(chǎng)中由于電勢不同所產(chǎn)生的能量差的物理量。(√)
2、在導體上施加電壓就會(huì )有電流流過(guò)。(√)
3、導體對電流的阻礙作用就叫該導體的電阻。(√)
4、電動(dòng)勢是表示非靜電力把單位正電荷從負極經(jīng)電源內部移到正極所做的功。(√)
5、電器設備在單位時(shí)間內消耗的電能稱(chēng)為電功率。(√)
6、在同一電路中，導體中的電流跟導體兩端的電壓成正比，跟導體的電阻阻值成反比,這就是歐姆定律。(√)
7、電磁場(chǎng)可由變速運動(dòng)的帶電粒子引起，也可由強弱變化的電流引起。(√)
8、電磁感應是因磁通量變化產(chǎn)生感應電動(dòng)勢的現象。(√)
9、電路的基本組成部分是電源和負載。(×)
10、電路中能提供電能的稱(chēng)為電源元件。(√)
11、通過(guò)一根導線(xiàn)將電阻連接在一起的方法稱(chēng)為串聯(lián)連接。(√)
12、將2個(gè)以上電阻用平行連接的方法稱(chēng)為并聯(lián)連接。(√)
13、電氣回路中流過(guò)的電流超過(guò)一定數值時(shí)，保護裝置起作用，保護回路安全。(√)
14、通斷裝置就是在電氣回路中設置的接通和斷開(kāi)電源的裝置。(√)
15、半導體是構成電子控制零部件的基礎單元。(√)
16、半導體如果受外部刺激，其性質(zhì)不會(huì )發(fā)生變化。(×)
17、半導體分為P型、N型和H型。(×)
18、二極管是P型半導體和N型半導體接合而成的。(√)
19、二極管具有單向導通性能。(√)
20、一般整流用二極管。(√)
21、齊納二極管是一種特殊的二極管。(√)
22、晶體管是在PN接合半導體上，再接合一塊P型或N型半導體。(√)
23、晶體管的工作原理同二極管相同。(×)
24、晶體管的作用就是開(kāi)關(guān)作用。(×)
25、增幅作用是晶體管的運用之一。(√)
二、單選題
1、電壓的符號為(C)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
2、電壓的單位是(A)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
3、電流的符號為(B)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
4、電流的單位是(C)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
5、電阻的符號為(A)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
6、電阻的單位是(D)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
7、電動(dòng)勢的符號為(A)。
(A)E (B)I (C)U (D)P
8、電動(dòng)勢的單位是(A)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
9、電功率的符號為(D)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
10、電功率的單位是(B)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
11、關(guān)于歐姆定律，選出合適的描述(B)。
(A)電流與電阻成正比 (B)電流與電壓成正比
(C)電流與電壓成反比 (D)電流與電阻、電壓無(wú)關(guān)
12、向1歐姆的電阻施加1伏特的電壓時(shí)產(chǎn)生的電流大小就是(D)安培。
(A)0 (B)0.5 (C)1.5 (D)1
13、引起電磁場(chǎng)的原因是(A)。
(A)由變速運動(dòng)的帶電粒子引起 (B)由不變的電壓引起
(C)由不變的電流引起 (D)由較大的電阻引起的
14、引起電磁場(chǎng)的原因是(C)。
(A)由不變的電流引起的 (B)由不變的電壓引起的
(C)由強弱變化的電流引起的 (D)由較大的電阻引起的
15、感應電流產(chǎn)生的條件是(B)。
(A)無(wú)切割磁感線(xiàn)的運動(dòng)(B)電路是閉合且通的 (C)電路時(shí)打開(kāi)的 (D)磁通量不變化
16、感應電流產(chǎn)生的條件是(C)。
(A)無(wú)切割磁感線(xiàn)的運動(dòng) (B)電路時(shí)打開(kāi)的
(C)穿過(guò)閉合電路的磁通量發(fā)生變化 (D)磁通量不變化
17、電路的基本組成部分是電源、負載和(A)。
(A)連接導線(xiàn) (B)電動(dòng)勢 (C)負極 (D)正極
18、電路的基本組成部分是連接導線(xiàn)、負載和(A)。
(A)正極 (B)電動(dòng)勢 (C)負極 (D)電源
19、電路中能提供電能的稱(chēng)為(D)。
(A)耗能元件 (B)儲能元件 (C)無(wú)源元件 (D)電源元件
20、電路中不能提供電能的稱(chēng)為(D)。
(A)耗能元件 (B)儲能元件 (C)電源元件 (D)無(wú)源元件
21、串聯(lián)連接回路中，流過(guò)各電阻的電流(C)。
(A)同各電阻的阻值成正比 (B)同各電阻的阻值成反比 (C)相同 (D)逐漸減小
22、串聯(lián)連接回路中，加在各電阻的電壓(A)。
(A)同各電阻的阻值成正比 (B)同各電阻的阻值成反比 (C)相同 (D)逐漸增大
23、并聯(lián)連接回路中，加在各電阻上的電壓(C)。
(A)同各電阻的阻值成正比 (B)同各電阻的阻值成反比 (C)相同(D)以上選項都不是
24、并聯(lián)連接回路中，總的電流等于各電阻的(A)。
(A)電流之和 (B)電流之積 (C)電流平均值 (D)電流均方根值
25、常見(jiàn)的保護裝置是指(C)。
(A)繼電器 (B)開(kāi)關(guān) (C)熔斷器 (D)電磁閥
26、熔斷器的容量大約是負荷電流(B)倍。
(A)1 (B)1.5 (C)5 (D)10
27、常見(jiàn)的通斷裝置是指開(kāi)關(guān)和(D)。
(A)電磁閥 (B)傳感器 (C)熔斷器 (D)繼電器
28、繼電器是利用作用在線(xiàn)圈上的(C)開(kāi)閉其觸點(diǎn)，以便接通和斷開(kāi)電源。
(A)磁力線(xiàn) (B)磁場(chǎng) (C)電磁力 (D)永久磁場(chǎng)
29、半導體的導電性能(C)。
(A)比導體好 (B)比絕緣體差 (C)介于導體和絕緣體之間 (D)接近金屬導體
30、常見(jiàn)的半導體有硅和(D)。
(A)碳 (B)銅 (C)鉛 (D)鍺
31、如果溫度升高，半導體的自由電子數將(A)。
(A)增加 (B)不變 (C)減少 (D)一會(huì )增加，一會(huì )減少
32、如果溫度升高，半導體的電阻值將(A)。
(A)增加 (B)不變 (C)減少 (D)一會(huì )增加，一會(huì )減少
33、P型半導體是在有4個(gè)價(jià)電子的硅或鍺中加入了有(B)個(gè)價(jià)電子的銦元素。
(A)1 (B)3 (C)5 (D)7
34、N型半導體是在有4個(gè)價(jià)電子的硅或鍺中加入了有(C)個(gè)價(jià)電子的砷元素。
(A)1 (B)3 (C)5 (D)7
35、P型半導體帶有很多(A)。
(A)帶正電量的空穴 (B)帶負電量的空穴
(C)帶正電量的自由電子 (D)帶負電量的自由電子
36、N型半導體帶有很多(D)。
(A)帶正電量的空穴 (B)帶負電量的空穴
(C)帶正電量的自由電子 (D)帶負電量的自由電子
37、在二極管的P型側接電源的正極，在N型側接電源的負極，其接合部的電場(chǎng)屏蔽將(D)。
(A)增強 (B)不變 (C)減弱 (D)消失
38、在二極管的P型側接電源的正極，在N型側接電源的負極，自由電子將越過(guò)接合面向(A)移動(dòng)。
(A)正極 (B)負極 (C)一半向正極，一半向負極 (D)百分之二十向負極
39、半波整流使用(A)個(gè)二極管。
(A)1 (B)2 (C)3 (D)4
40、全波整流使用(D)個(gè)二極管。
(A)1 (B)2 (C)3 (D)4
41、在齊納二極管上施加逆方向電壓，當電壓超過(guò)某一數值時(shí)，(D)。
(A)會(huì )急劇產(chǎn)生電流 (B)會(huì )急劇產(chǎn)生電阻
(C)會(huì )急劇產(chǎn)生電流導致二極管擊穿損壞 (D)會(huì )急劇產(chǎn)生電流而不會(huì )出現擊穿損壞
42、齊納二極管的齊納電壓與二極管的擊穿電壓相比，齊納電壓(C)。
(A)高 (B)低 (C)相同 (D)不確定
43、晶體管有(B)型。
(A)NNP (B)NPN (C)PNN (D)PPN
44、晶體管有(C)型。
(A)NNP (B)NPP (C)PNP (D)PPN
45、對NPN型晶體管，如果在集電極和發(fā)射極施加電壓，其中集電極為正電壓，那么發(fā)射極內的自由電子(A)。
(A)朝基極側移動(dòng) (B)朝集電極側移動(dòng) (C)不動(dòng) (D)在發(fā)射極處無(wú)序運動(dòng)
46、對NPN型晶體管，如果在集電極和發(fā)射極施加電壓，其中集電極為正電壓，那么基極內的空穴(A)。
(A)朝集電極側移動(dòng) (B)朝發(fā)射極側移動(dòng) (C)不動(dòng) (D)在基極處無(wú)序運動(dòng)
47、在汽車(chē)中與電子控制相關(guān)的回路的開(kāi)閉一般由(D)來(lái)進(jìn)行。
(A)開(kāi)關(guān) (B)繼電器 (C)二極管 (D)晶體管
48、晶體管不存在類(lèi)似繼電器(B)磨損、燒損等情況。
(A)線(xiàn)圈 (B)觸點(diǎn) (C)電磁力 (D)磁力線(xiàn)
49、在開(kāi)關(guān)回路中，主要運用了晶體管的(D)優(yōu)點(diǎn)。
(A)不存在類(lèi)似繼電器觸點(diǎn)磨損、燒損等情況 (B)可以實(shí)現高速開(kāi)閉
(C)不會(huì )發(fā)生間歇電震 (D)可實(shí)現小電流控制大電流。
50、晶體管的運用有開(kāi)關(guān)回路、定時(shí)回路、電壓限制和(D)。
(A)發(fā)動(dòng)機轉速傳感 (B)空氣流量傳感 (C)溫度傳感 (D)電子點(diǎn)火
三、多選題
1、下面有關(guān)電壓講述正確的是(ABCE)。
(A)電壓是靜電場(chǎng)或電路中兩點(diǎn)間電動(dòng)勢之差 (B)電壓的單位是伏特
(C)電壓可分為高電壓與低電壓 (D)電壓的大小取決于電動(dòng)勢 (E)電壓的符號是U
2、下面有關(guān)電壓和電流講述正確的是(ABCD)。
(A)在導體上施加電壓就會(huì )有電流流過(guò) (B)電流的單位是安培
(C)電壓可分為交流電和直流電 (D)電流的符號是I (E)電流是自行產(chǎn)生的
3、下面有關(guān)電阻講述正確的是(ABDE)。
(A)導體對電流的阻礙作用就叫該導體的電阻。 (B)電阻的單位是歐姆
(C)電阻可分為交流電阻和直流電阻 (D)電阻的符號是R
(E)導體的長(cháng)度、材料相同時(shí)，橫截面積越大，電阻越小
4、下面有關(guān)電動(dòng)勢講述正確的是(ADE)。
(A)電動(dòng)勢是表示非靜電力把單位正電荷從負極經(jīng)電源內部移到正極所做的功
(B)電動(dòng)勢是表示靜電力把單位正電荷從電場(chǎng)中的某一點(diǎn)移到另一點(diǎn)所做的功
(C)電動(dòng)勢單位是瓦特 (D)電動(dòng)勢的符號是E (E)電動(dòng)勢的單位是伏特
5、下面有關(guān)電功率講述正確的是(ABC)。
(A)電功率是電氣設備在單位時(shí)間內消耗的電能 (B)電功率的'單位是瓦特
(C)電功率的符號為P (D)電功率的大小與時(shí)間無(wú)關(guān) (E)電功率的大小和電壓無(wú)關(guān)
6、關(guān)于歐姆定律，選出合適的描述(BE)。
(A)電流與電阻成正比 (B)電流與電壓成正比 (C)電流與電壓成反比
(D)電流與電阻、電壓無(wú)關(guān) (E)電流與電阻成反比
7、引起電磁場(chǎng)的原因是(CD)。
(A)由不變的電流引起 (B)由不變的電壓引起 (C)由強弱變化的電流引起
(D)由變速運動(dòng)的帶電粒子引起 (E)由不變的電阻引起
8、感應電流產(chǎn)生的條件有(ABC)。
(A)電路是閉合且通的 (B)穿過(guò)閉合電路的磁通量發(fā)生變化
(C)電路的一部分在磁場(chǎng)中做切割磁感線(xiàn)運動(dòng)
(D)磁通量不需變化 (E)電路可以是打開(kāi)的
9、電路的基本組成部分是(ABC)。
(A)電源 (B)負載 (C)連接導線(xiàn) (D)正極 (E)負極
10、電路中無(wú)源元件的分類(lèi)為(B)。
(A)有源元件 (B)儲能元件 (C)耗能元件 (D)理想元件 (E)非理想元件
11、串聯(lián)連接回路描述正確的是(AB)。
(A)流過(guò)各電阻的電流相同 (B)加在各電阻的電壓同各電阻的阻值成正比
(C)流過(guò)各電阻的電流不同 (D)加在各電阻的電壓同電阻成反比
(E)電阻和電流，電壓無(wú)關(guān)
12、并聯(lián)連接回路描述正確的是(AB)。
(A)加在各電阻上的電壓相同 (B)總的電流等于各電阻的電流之和
(C)流過(guò)各電阻的電流相同 (D)加在各電阻的電壓同電阻成反比
(E)電阻和電流，電壓無(wú)關(guān)
13、漏電保護裝置按檢測信號分，可分為(AB)。
(A)電壓動(dòng)作型 (B)電流動(dòng)作型 (C)電阻動(dòng)作型 (D)電動(dòng)勢動(dòng)作型(E)電感動(dòng)作型
14、關(guān)于繼電器的說(shuō)法正確的是(ABC)。
(A)能夠縮短流過(guò)大電流回路的電線(xiàn)，并能將開(kāi)關(guān)設置遠離需要接通和斷開(kāi)的回路的地方。(B)能夠實(shí)現各裝置操作的自動(dòng)化或遠距離操作。
(C)能夠使用觸點(diǎn)容量小的開(kāi)關(guān)。 (D)能夠替代熔斷器。 (E)能代替保險絲
15、半導體材料有很多種，按化學(xué)成分可分(AD)。
(A)元素半導體 (B)非元素半導體 (C)單一半導體
(D)化合物半導體 (E)混合物半導體
16、半導體的特性是(ABCDE)。
(A)電阻率特性 (B)導電特性 (C)光電特性(D)負的電阻率溫度特性 (E)整流特性
17、半導體的分類(lèi)，按照其制造技術(shù)可以分為(ABCDE)等。
(A)集成電路器件 (B)分立器件 (C)光電半導體 (D)邏輯IC (E)模擬IC
18、二極管的內部結構，可分為(AB)。
(A)點(diǎn)接觸型 (B)面接觸型 (C)線(xiàn)接觸型 (D)無(wú)接觸型 (E)全接觸型
19、半導體的特性是(ABCDE)。
(A)電阻率特性 (B)導電特性 (C)光電特性(D)負的電阻率溫度特性 (E)整流特性
20、關(guān)于二極管的應用，正確的是(ABC)。
(A)異常脈沖的吸收 (B)逆電動(dòng)勢的吸收 (C)防止逆流 (D)穩壓 (E)放大功能
21、齊納二極管的作用是(ABD)。
(A)穩壓 (B)調壓 (C)減壓 (D)吸收逆電動(dòng)勢 (E)放大功能
22、屬于晶體管的電極是(BCD)。
(A)觸發(fā)極 (B)發(fā)射極 (C)基極 (D)集電極 (E)放大極
23、NPN型硅管的輸出特性曲線(xiàn)是一組以Ib為參變量的曲線(xiàn)族。曲線(xiàn)族可分為(BCD)。
(A)減少區 (B)截止區 (C)放大區 (D)飽和區 (E)安全區
24、晶體管的優(yōu)點(diǎn)是(ABC)。
(A)不存在類(lèi)似繼電器觸點(diǎn)磨損、燒損等情況 (B)可以實(shí)現高速開(kāi)閉
(C)不會(huì )發(fā)生間歇電震 (D)可實(shí)現大電流控制小電流 (E)可實(shí)現電流互換
25、晶體管的運用有(ABCE)。
(A)開(kāi)關(guān)回路 (B)電壓限制 (C)電子點(diǎn)火 (D)啟動(dòng)回路 (E)定時(shí)回路
模擬電子技術(shù)基礎問(wèn)題4
《模擬電子技術(shù)》模擬試題四
一．填充題（每空1分，共20分）
1．按擊穿的機理區分，PN結的擊穿分為 擊穿和 擊穿。
2．電路如附圖4.1所示，當V=5V時(shí)測得ID＝2mA；若V增大到10V，ID的值；若V不變，而環(huán)境
溫度降低時(shí)，ID的值。
3．由晶體管共射極輸出特性可見(jiàn)，在放大區iB不變時(shí)，iC隨uCE的增大而略增加，原因是uCE增大時(shí)基區有效寬
度 ，這稱(chēng)為 效應。
4．使直接耦合放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因主要是 和元件的 。
5．若增大固定偏置共射極放大電路中晶體管的IBQ，該放大電路大減小。
6．共集電極放大電路中的輸出電壓頂部被削平時(shí)，電路產(chǎn)生的是 失真；乙類(lèi)功放電路的主要缺點(diǎn)是輸出有 失真。
7．負反饋放大電路的fHf (1 AF)fH，適用于反饋環(huán)內只有一的電路；負反饋改善放大電路的性能是
以 為代價(jià)。
8．電容三點(diǎn)式正弦波振蕩電路的主要優(yōu)點(diǎn)是 ，主要缺點(diǎn)是 。
9．為了抑制零點(diǎn)漂移，集成運放的輸入級一般選用 放大電路，因此由半導體三極管組成輸入級的集成運放，兩個(gè)輸入端的外接電阻應 。
10．用集成運放組成的非正弦信號發(fā)生器一般由 和 兩個(gè)部分組成。
二．分析計算題（共80分）
1．（12分）有兩個(gè)相同的基本放大電路，負載開(kāi)路時(shí)的電壓放大倍數Au1 Au2 50、輸入電阻Ri1 Ri2 2kΩ、輸出電阻Ro1 Ro2 10kΩ，現用這兩個(gè)基本放大電路組成一個(gè)多級放大電路，并用內阻Rs 2kΩ的正弦波信號源驅動(dòng)，輸出端接10kΩ的負載電阻RL。試求該多級放大電路的.輸入電阻Ri、輸出電阻Ro、電壓放大倍數Au及源電壓放大倍數Aus。
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2．（12分）電路如附圖4.2所示，設T1、T2特性相同，IDSS＝4mA、UGS(off)＝－4V；調零電位器RW＝2kΩ，其滑動(dòng)端調在中點(diǎn)。試計算：
�。�1）靜態(tài)工作點(diǎn)的值；
�。�2）Aud、Ro；
�。�3）若電路改為從T1的漏極與“地”之間輸出，求這種情況下的差模電壓放大倍數、共模電壓放大倍數、共模抑制比以及輸出電阻。
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3．（12分）電路如附圖4.3所示，已知集成運放的性能理想，T1、T2性能一致，輸入電壓是一個(gè)幅度為1V的正弦波信號。
及每個(gè)功放管的功耗PT。（1）說(shuō)出R2引入什么類(lèi)型的反饋；（2）試求輸出功率Po、功放級的電源消耗功率PV、
4．（12分）電路如附圖4.4所示。已知集成運放性能均理想，R1 R2 R、R3 R4 R5。試求：
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�。�1）Au1(s) Uo1(s)/Ui(s)的表達式；A(s) Uo(s)/Ui(s)的表達式； （2）u
�。�3）試問(wèn)運放A1組成什么電路？整個(gè)電路又是什么電路？
5．（10分）一比較器如附圖4.5所示已知硅穩壓管DZ的穩定電壓UZ=6V，正向導通時(shí)的電壓降為0.6V，UR＝12V，集成運放性能理想。
�。�1）試求輸出高電平UOH、低電平UOL和閾值電壓值；（2）畫(huà)出電壓傳輸特性曲線(xiàn)。
2-1u 4u 3uK 1VOII6．（10分）試用一個(gè)性能理想的集成運放和的模擬乘法器設計一個(gè)運算電路，實(shí)現的運
算功能。要求畫(huà)出電路，標出各電阻之間的比例關(guān)系。
7．（12分）電路如附圖4.6所示，設集成運放性能理想，UI 足夠大。試求：
�。�1）最大輸出電壓UO(max)，并說(shuō)明在什么條件下獲得；（2）最小輸出電壓UO(min)，并說(shuō)明在什么條件下獲得。
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模擬電子技術(shù)基礎問(wèn)題5
一、填空題（共20分，每空1分）
1.供電質(zhì)量包括供電的可靠性、電壓質(zhì)量、及電壓波形質(zhì)量四個(gè)方面，220V單相供電電壓允許偏差。
2.保護接地電阻不允許超過(guò)Ω，重復接地電阻一般小于Ω。
3.變壓器箱體上的油管起作用。
4.點(diǎn)動(dòng)控制電路和連續運轉控制電路的區別在于是否有觸點(diǎn)。
5.在電路中，熱繼電器只能作保護，不能作短路保護。
6.低壓斷路器在電路中可起保護、保護、和失壓保護作用。
7.根據轉子結構的不同，三相異步電動(dòng)機分有式和兩類(lèi)，其中電動(dòng)機能獲得較好的啟動(dòng)與調速性能。
8.在三相異步電動(dòng)機正反轉控制電路中互鎖的方法有互鎖和互鎖。
9.采用接觸器的控制電路具有失壓保護功能。
10.是描述轉子轉速與旋轉磁場(chǎng)轉速差異程度的，即電動(dòng)機的.異步程度。旋轉磁場(chǎng)轉速n0= 。
11.電動(dòng)機銘牌額定電壓是指額定狀態(tài)運行時(shí)，定子回路所加的，額定電流是指額定狀態(tài)運行時(shí)，定子回路輸入的。
二、判斷題（共10分，每題1分）
1.安全用電包括供電系統安全、用電設備安全及人身安全三個(gè)方面。（）
2．只要任意調換三相異步電動(dòng)機的兩根電源線(xiàn)，就可以改變電動(dòng)機轉向。（）
3.使用螺口燈泡時(shí)，應將螺口接零線(xiàn)，燈頭頂部電極接相線(xiàn)。（）
4.同一低壓配電網(wǎng)中，設備可以根據具體需要選擇保護接地措施或保護接零措施。（）
5.變壓器不僅可以變換交流電壓，還可以變換直流電壓。（）
6.負載減小時(shí)，變壓器的一次電流將減小。（）
7.欲使四個(gè)停止按鈕都能控制接觸器斷電，則它們的常閉觸點(diǎn)應并聯(lián)接到接觸器的線(xiàn)圈電路中。（）
8.閘刀開(kāi)關(guān)拉閘前，應盡量使電動(dòng)機處于空載。（）
9.三相異步電動(dòng)機直接啟動(dòng)電路中，若有熱繼電器作過(guò)載保護，可不用熔斷器來(lái)保護電動(dòng)機。（）
10.在用接觸器控制的三相異步電動(dòng)機連續運轉的線(xiàn)路中，不具有失壓保護功能。（）
三、選擇題（共10分，每題1分）
1.在潮濕的工程點(diǎn)，只允許使用（）進(jìn)行照明。
A．12V手提燈B. 36V手提燈C. 220V電壓
2.變壓器中起傳遞電能作用的是（）。
A.主磁通B.漏磁通C.電流D.電壓
3.電流互感器運行時(shí)，接近（）。
A.空載狀態(tài)，二次繞組不準開(kāi)路B.空載狀態(tài)，二次繞組不準短路
C.短路狀態(tài)，二次繞組不準短路D.短路狀態(tài)，二次繞組不準開(kāi)路
4.接觸器在控制電路中的文字符號是（）。
A.FR B. KM C. FU D. SB
5.保護接零是將設備金屬外殼或構架與（）做良好連接。
A.接地裝置B.電網(wǎng)零線(xiàn)C.任意電源線(xiàn)
6.在電路中起到短路保護、失壓保護和過(guò)載保護的電器是（）。
A.接觸器B.熔斷器C.熱繼電器D.斷路器
7.熔斷器主要用作三相異步電動(dòng)機的（）。
A.過(guò)壓保護B.過(guò)載保護C.短路保護D.欠壓保護
8.正反轉控制電路中互鎖的作用是（）。
A.防止正轉、反轉不能順利過(guò)渡B.防止主電路電源短路
C.防止控制電路電源短路D.防止電動(dòng)機不能停車(chē)
9.一臺三相異步電動(dòng)機帶恒定負載運行，將負載去掉后，電動(dòng)機穩定運行的轉速將（）。
A.等于同步轉速B.大于同步轉速C.小于同步轉速
10.某電容分相式單相異步電動(dòng)機啟動(dòng)繞組和工作繞組規格相同，反轉方法是（）
A.將兩根電源進(jìn)線(xiàn)（相線(xiàn)和中性線(xiàn)）對調B.將電容器換接到另一繞組上
C.將工作繞組和啟動(dòng)繞組的首端與末端一起對調D.將工作繞組或啟動(dòng)繞組的首端與末端對調
四、簡(jiǎn)答題（共30分，每題10分）
1.電動(dòng)機旋轉磁場(chǎng)的旋轉方向由什么決定？怎樣改變旋轉磁場(chǎng)的旋轉方向？
2.接觸器由那些主要部分構成？其輔助常開(kāi)、常閉觸點(diǎn)通常在控制電路中起何作用？
3.簡(jiǎn)述影響變壓器外特性的因素，哪些是固定功率損耗或可變功率損耗
五、計算題（共20分，每題10分）
1.已知Y-160M1-2型三相異步電動(dòng)機額定轉速n2=2930r/min，求同步轉速n0及磁極對數P
2.一臺單相變壓器，一次電壓U1=220V，k=12，求二次電壓U2，若I2=2A，求一次電流I1
六、應用題（共30分，每題10分）
1.請繪制有漏電保護措施的自耦降壓變壓器接線(xiàn)圖，并標明輸入、輸出端。
2.請繪制直管熒光燈接線(xiàn)圖，并標明器件名稱(chēng)。
3.請繪制三相異步電動(dòng)機直接啟�？刂齐娐�，并說(shuō)明其控制過(guò)程。要求具有啟動(dòng)連續運行、停車(chē)、過(guò)載保護FR功能。
模擬電子技術(shù)基礎問(wèn)題6
一、選擇題(每空2分 共30分)
1、PN結正偏時(shí)( )，反偏時(shí)( )，所以PN結具有( )導電性。
2、漂移電流是( )電流，它由( )載流子形成，其大小與( )有關(guān)，而與外加電壓( )。
3、所謂理想二極管，就是當其正偏時(shí)，結電阻為( )，等效成一條直線(xiàn);當其反偏時(shí)，結電阻為( )，等效成斷開(kāi);
4、三極管是( )控制元件，場(chǎng)效應管是( )控制元件。
5、三極管具有放大作用外部電壓條件是發(fā)射結( )，集電結( )。
6、當溫度升高時(shí)，晶體三極管集電極電流Ic( )，發(fā)射結壓降( )。
7、三極管放大電路共有三種組態(tài)分別是( )、( )、( )放大電路。
8、為了穩定三極管放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，采用( )負反饋，為了穩定交流輸出電流采用( )負反饋。
9、負反饋放大電路和放大倍數AF=( )，對于深度負反饋放大電路的放大倍數AF=( )。
10、帶有負反饋放大電路的頻帶寬度BWF=( )BW，其中BW=( )，( )稱(chēng)為反饋深度。
11、差分放大電路輸入端加上大小相等、極性相同的兩個(gè)信號，稱(chēng)為( )信號，而加上大小相等、極性相反的兩個(gè)信號，稱(chēng)為( )信號。
12、為了消除乙類(lèi)互補功率放大器輸出波形的( )失真，而采用( )類(lèi)互補功率放大器。
13、OCL電路是( )電源互補功率放大電路;OTL電路是( )電源互補功率放大電路。
二 、填空題(每空1分 ，共32分)
1、空穴為( )載流子。自由電子為( )載流子的雜質(zhì)半導體稱(chēng)為P型半導體。
2、PN結的P型側接高電位，N型側接低電位稱(chēng)為( )反之稱(chēng)為( )
3、由漂移形成的電流是反向電流，它由( )栽流子形成，其大小決定于( )，而與外電場(chǎng)( )。
4、穩定二極管穩壓時(shí)是處于( )偏置狀態(tài)，而二極管導通時(shí)是處于( )偏置狀態(tài)。 1
5、晶體三極管的集電極電流Ic=( ) 所以它是( )控制元件。
6、當溫度升高時(shí)三極管的反向飽和電流I CBO( )所以Ic也( ) 。
7、為了穩定三極管放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)，采用( )負反饋。為穩定交流輸出電壓，采用( )負反饋，為了提高輸入電阻采用( )負反饋.。
8、負反饋使放大電路增益下降，但它可以( )通頻帶( )失真。
9、反饋導數F=( )。反饋深度是( )。
10、差分放大電路能夠抑制( )信號，放大( )信號。
11、OCL電路是( )電源互補功放，OTL是( )電源互補功放。
12、用低頻信號改變高頻信號的'相位稱(chēng)為( )。低頻信號稱(chēng)為( )、高頻信號稱(chēng)為( )。
13、晶體管電流放大系數是頻率的函數，隨著(zhù)頻率的升高而( )。共基極電路比共射極電路高頻特性( )。
14、振蕩電路的平衡條件是( )，( )反饋才能滿(mǎn)足振蕩電路的相位平衡條件。
15、在橋式整流電阻負載時(shí)，理想二極管承受的最高反壓是( )。
模擬電子技術(shù)基礎問(wèn)題7
一、選擇題
1.光通量的單位是（ B ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
2. 輻射通量φe的單位是（ B ）
A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)
3.發(fā)光強度的單位是（ A ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
4.光照度的單位是（ D ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
5.激光器的構成一般由（ A ）組成
A.激勵能源、諧振腔和工作物質(zhì) B.固體激光器、液體激光器和氣體激光器
C.半導體材料、金屬半導體材料和PN結材料 D. 電子、載流子和光子
6. 硅光二極管在適當偏置時(shí)，其光電流與入射輻射通量有良好的線(xiàn)性關(guān)系，且動(dòng)態(tài)范圍較大。適當偏置是 （D）
A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置
7.2009年10月6日授予華人高錕諾貝爾物理學(xué)獎，提到光纖以SiO2為材料的主要是由于（ A ）
A.傳輸損耗低 B.可實(shí)現任何光傳輸 C.不出現瑞利散射 D.空間相干性好
8.下列哪個(gè)不屬于激光調制器的是（ D ）
A.電光調制器 B.聲光調制器 C.磁光調制器 D.壓光調制器
9.電光晶體的非線(xiàn)性電光效應主要與（ C ）有關(guān)
A.內加電場(chǎng) B.激光波長(cháng) C.晶體性質(zhì) D.晶體折射率變化量
10.激光調制按其調制的性質(zhì)有（ C ）
A.連續調制 B.脈沖調制 C.相位調制 D.光伏調制
11.不屬于光電探測器的是（ D ）
A.光電導探測器 B.光伏探測器 C.光磁電探測器 D.熱電探測元件
12.CCD 攝像器件的信息是靠（ B ）存儲
A.載流子 B.電荷 C.電子 D.聲子
13.LCD顯示器，可以分為（ ABCD ）
A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型
14.摻雜型探測器是由（ D ）之間的電子-空穴對符合產(chǎn)生的，激勵過(guò)程是使半導體中的載
流子從平衡狀態(tài)激發(fā)到非平衡狀態(tài)的激發(fā)態(tài)。
A.禁帶 B.分子 C.粒子 D.能帶
15.激光具有的優(yōu)點(diǎn)為相干性好、亮度高及（ B ）
A色性好 B單色性好 C 吸收性強 D吸收性弱
16.紅外輻射的波長(cháng)為（ D ）.
A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm
17.可見(jiàn)光的波長(cháng)范圍為（ C ）.
A 200—300nm B 300—380nm C 380—780nm D 780—1500nm
18.一只白熾燈，假設各向發(fā)光均勻，懸掛在離地面1.5m的高處，用照度計測得正下方地面
的照度為30lx，該燈的光通量為（ A ）.
A .848lx B .212lx C .424lx D .106lx
19.下列不屬于氣體放電光源的是（ D ）.
A .汞燈 B .氙燈 C .鉈燈 D .鹵鎢燈
20.ＬＣＤ是（ Ａ ）
A.液晶顯示器 B.光電二極管 C.電荷耦合器件 D.硅基液晶顯示器
21.25mm的視像管，靶面的有效高度約為10mm，若可分辨的最多電視行數為400，則相當于（ A ）線(xiàn)對/mm.
A.16 B.25 C.20 D.18
22. 光電轉換定律中的光電流與 ( B ) .
A 溫度成正比 B光功率成正比 C暗電流成正比 D光子的能量成正比
23. 發(fā)生拉曼—納斯衍射必須滿(mǎn)足的條件是( A )
A 超聲波頻率低，光波平行聲波面入射，聲光作用長(cháng)度短
B 超聲波頻率高，光波平行聲波面入射，聲光作用長(cháng)度短
C 超聲波頻率低，光波平行聲波面入射，聲光作用長(cháng)度長(cháng)
D 超聲波頻率低，光束與聲波面間以一定角度入射，聲光作用長(cháng)度短
24.光束調制中，下面不屬于外調制的是 ( C )
A 聲光調制 B 電光波導調制 C 半導體光源調制 D 電光強度調制
25.激光具有的優(yōu)點(diǎn)為相干性好、亮度高及 ( B )
A 多 色性好 B單色性好 C 吸收性強 D吸收性弱
26.能發(fā)生光電導效應的半導體是 ( C )
A本征型和激子型 B本征型和晶格型 C本征型和雜質(zhì)型 D本征型和自由載流子型
27.電荷耦合器件分 ( A )
A 線(xiàn)陣CCD和面陣CCD B 線(xiàn)陣CCD和點(diǎn)陣CCD
C 面陣CCD和體陣CCD D 體陣CCD和點(diǎn)陣CCD
28.電荷耦合器件的工作過(guò)程主要是信號的產(chǎn)生、存儲、傳輸和( C )
A 計算 B 顯示 C 檢測 D 輸出
29.光電探測器的性能參數不包括（D）
A光譜特性 B光照特性 C光電特性 D P-I特性
30.光敏電阻與其他半導體電器件相比不具有的特點(diǎn)是（B）
A.光譜響應范圍廣 B.閾值電流低 C.工作電流大 D.靈敏度高
31.關(guān)于LD與LED下列敘述正確的是（C）
A. LD和LED都有閾值電流 B .LD調制頻率遠低于LED C. LD發(fā)光基于自發(fā)輻射
D .LED可發(fā)出相干光
32.光敏電阻的光電特性由光電轉換因子描述，在強輻射作用下（A ）
A. ?=0.5 B.? =1 C. ?=1.5 D. ?=2
33.硅光二極管主要適用于[D]
A紫外光及紅外光譜區 B可見(jiàn)光及紫外光譜區 C可見(jiàn)光區 D 可見(jiàn)
光及紅外光譜區
34.硅光二極管主要適用于[D]
A紫外光及紅外光譜區 B可見(jiàn)光及紫外光譜區 C可見(jiàn)光區 D 可見(jiàn)
光及紅外光譜區
35.光視效能K為最大值時(shí)的波長(cháng)是（A ）
A．555nm B.666nm C．777nm D.888nm
36. 對于P型半導體來(lái)說(shuō)，以下說(shuō)法正確的是 （D）
A 電子為多子 B 空穴為少子
C 能帶圖中施主能級靠近于導帶底 D 能帶圖中受主能級靠近于價(jià)帶頂
37. 下列光電器件, 哪種器件正常工作時(shí)需加100-200V的高反壓 （C）
A Si光電二極管 B PIN光電二極管 C 雪崩光電二極管 D 光電三極管
38. 對于光敏電阻，下列說(shuō)法不正確的是： （D）
A 弱光照下，光電流與照度之間具有良好的線(xiàn)性關(guān)系
B 光敏面作成蛇形，有利于提高靈敏度
C 光敏電阻具有前歷效應
D 光敏電阻光譜特性的峰值波長(cháng)，低溫時(shí)向短波方向移動(dòng)
39. 在直接探測系統中, (B)
A 探測器能響應光波的波動(dòng)性質(zhì), 輸出的電信號間接表征光波的振幅、頻率和相位
B 探測器只響應入射其上的平均光功率
C 具有空間濾波能力
D 具有光譜濾波能力
40. 對于激光二極管（LD）和發(fā)光二極管（LED）來(lái)說(shuō)，下列說(shuō)法正確的是（D）
A LD只能連續發(fā)光 B LED的單色性比LD要好
C LD內部可沒(méi)有諧振腔 D LED輻射光的波長(cháng)決定于材料的禁帶寬
41. 對于N型半導體來(lái)說(shuō)，以下說(shuō)法正確的是 （A）
A 費米能級靠近導帶底 B 空穴為多子
C 電子為少子 D 費米能級靠近靠近于價(jià)帶頂
42. 依據光電器件伏安特性, 下列哪些器件不能視為恒流源: （D）
A 光電二極管 B 光電三極管
C 光電倍增管 D 光電池
43. 硅光二極管在適當偏置時(shí)，其光電流與入射輻射通量有良好的線(xiàn)性關(guān)系，且動(dòng)態(tài)范圍較大。適當偏置是 （D）
A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置
44. 有關(guān)熱電探測器, 下面的說(shuō)法哪項是不正確的(C)
A 光譜響應范圍從紫外到紅外幾乎都有相同的響應
B 響應時(shí)間為毫秒級
C 器件吸收光子的能量, 使其中的'非傳導電子變?yōu)閭鲗щ娮?/p>
D 各種波長(cháng)的輻射對于器件的響應都有貢獻
45. 為了提高測輻射熱計的電壓響應率，下列方法中不正確的是 （D）
A 將輻射熱計制冷 B 使靈敏面表面黑化
C 將輻射熱計封裝在一個(gè)真空的外殼里 D 采用較粗的信號導線(xiàn)
46.光譜光視效率V(505nm)=0.40730，波長(cháng)為505nm、1mW的輻射光，其光通量 為
A 683lm B 0.683lm C 278.2 lm D 0.2782 lm （D）
47. 下列探測器的光－電響應時(shí)間，由少數載流子的壽命決定： （A）
A 線(xiàn)性光電導探測器 B 光電二極管
C 光電倍增管 D 熱電偶和熱電堆
48. 給光電探測器加合適的偏置電路，下列說(shuō)法不正確的是 (A )
A 可以擴大探測器光譜響應范圍 B 可以提高探測器靈敏度
C 可以降低探測器噪聲 D 可以提高探測器響應速度
49. 下列光源中哪一種光源，可作為光電探測器在可見(jiàn)光區的積分靈敏度測量標準光源： （C）
A 氘燈 B 低壓汞燈
C 色溫2856K的白熾燈 D 色溫500K的黑體輻射器
50. 克爾效應屬于 （A）
A 電光效應 B 磁光效應
C 聲光效應 D 以上都不是
51. 海水可以視為灰體。300K的海水與同溫度的黑體比較（A）
A 峰值輻射波長(cháng)相同 B 發(fā)射率相同
C 發(fā)射率隨波長(cháng)變化 D 都不能確定
52. 下列探測器最適合于作為光度量測量的探測器 （C）
A 熱電偶 B 紅外光電二極管
C 2CR113藍硅光電池 D 雜質(zhì)光電導探測器
二．簡(jiǎn)答
1.可見(jiàn)光的波長(cháng)、頻率和光子的能量范圍分別是多少？
波長(cháng)：380~780nm 400~760nm
頻率：385T~790THz 400T~750THz
能量：1.6~3.2eV
2.發(fā)光二極管的優(yōu)點(diǎn)？
效率高、光色純、能耗小、壽命長(cháng)、可靠耐用、應用靈活、綠色環(huán)保。
3.氣體放電光源的特點(diǎn)？
效率高、結構緊湊、壽命長(cháng)、輻射光譜可選擇
4.半導體激光器特點(diǎn)？
體積小、重量輕、易調制、功效低、波長(cháng)覆蓋廣、能量轉換效率高。
5.光體放點(diǎn)的發(fā)光機制？
氣體在電場(chǎng)作用下激勵出電子和離子，成為導電體。離子向陰極、電子向陽(yáng)極運動(dòng) ，從電場(chǎng)中得到能量，它們與氣體原子或分子碰撞時(shí)會(huì )激勵出新的電子離子，也會(huì )使氣體原子受激，內層電子躍遷到高能級。受激電子返回基態(tài)時(shí)，就輻射出光子來(lái)。
6.激光的特點(diǎn)？
激光的高亮度、高方向性、高單色性和高度時(shí)間空間相干性是前述一般光源所望塵莫及的，它為光電子技術(shù)提供了極好的光源。
7.量子井LD的特性？
閾值電流很低、譜線(xiàn)寬度窄，改善了頻率Chirp、調制速率高、溫度特性好
8.超高亮度彩色LED的應用？
LED顯示屏、交通信號燈、景觀(guān)照明、手機應用、LED顯示屏的背光源。
9.激光測距的優(yōu)點(diǎn)？
�。�1）測距精度高（2）體積小、重量輕（3）分辨率高、抗干擾能力強
10.激光雷達的優(yōu)點(diǎn)？
�。�1）激光高度的方向性，使光束發(fā)散角很小、分辨能力大大提高。
�。�2）抗干擾能力強
�。�3）體積小質(zhì)量輕
11.簡(jiǎn)要描述一下黑體光譜輻射出射度與波長(cháng)和溫度的關(guān)系？
�。�1）對應任一溫度單色輻射出射度隨波長(cháng)連續變化，且只有一個(gè)峰值，對應不同溫度的曲線(xiàn)不相交。
�。�2）單色輻射出射度和輻射出射度均隨溫度升高而增大。
�。�3）單色輻射出射度和峰值隨溫度升高而短波方向移動(dòng)。
模擬電子技術(shù)基礎問(wèn)題8
一、選擇題（每題20分）
1．（）晶閘管額定電壓一般取正常工作時(shí)晶閘管所承受峰電壓的(B)。
A.1～2倍
B.2～3倍
C.3～4倍
D.4～5倍
2．（）選用晶閘管的額定電流時(shí)，根據實(shí)際最大電流計算后至少還要乘以（A）。
A.1.5～2倍
B.2～2.5倍
C.2.5～3倍
D.3～3.5倍
3.（）晶閘管剛從斷態(tài)轉入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持通態(tài)所需要的最小電流是（B）。
A.維持電流IH
B.擎住電流IL
C.浪涌電流ITSM
D.最小工作電流IMIN
4.（）對同一只晶閘管，擎住電流IL約為維持電流IH的(B)。
A.1～2倍
B.2～4倍
C.3～5倍
D.6～8倍
5.()普通晶閘管的額定電流用通態(tài)平均電流值標定，而雙向晶閘管通常用在交流電路中，因此其額定電流用(D)標定。
A.平均值
B.最大值
C.最小值
D.有效值
6.(C)晶閘管屬于
A.全控型器件
B.場(chǎng)效應器件
C.半控型器件
D.不可控器件
7.()晶閘管可通過(guò)門(mén)極(C)。
A.既可控制開(kāi)通，又可控制關(guān)斷
B.不能控制開(kāi)通，只能控制關(guān)斷
C.只能控制開(kāi)通，不能控制關(guān)斷
D.開(kāi)通和關(guān)斷都不能控制
8.（）使導通的晶閘管關(guān)斷只能是(C)。
A.外加反向電壓
B.撤除觸發(fā)電流
C.使流過(guò)晶閘管的電流降到接近于零
D.在門(mén)極加反向觸發(fā)
9．（）在螺栓式晶閘管上有螺栓的一端是(A)。
A.陰極K
B.陽(yáng)極A
C.門(mén)極K
D.發(fā)射極E
10.（）晶閘管導通的條件是（A）。
A.陽(yáng)極加正向電壓，門(mén)極有正向脈沖
B.陽(yáng)極加正向電壓，門(mén)極有負向脈沖
C.陽(yáng)極加反向電壓，門(mén)極有正向脈沖
D.陽(yáng)極加反向電壓，門(mén)極有負向脈沖
11.()可關(guān)斷晶閘管（GTO）是一種（A）結構的半導體器件。
A.四層三端
B.五層三端
C.三層二端
D.三層三端
12.（）晶閘管的三個(gè)引出電極分別是（A）。
A.陽(yáng)極、陰極、門(mén)極
B.陽(yáng)極、陰極、柵極
C.柵極、漏極、源極
D.發(fā)射極、基極、集電極
13.（）已經(jīng)導通了的`晶閘管可被關(guān)斷的條件是流過(guò)晶閘管的電流（A）。
A.減小至維持電流IH以下
B.減小至擎住電流IL以下
C.減小至門(mén)極觸發(fā)電流IG以下
D.減小至5A以下
14.()單相半波可控整流電路，阻性負載，控制角α的最大移相范圍是（B）。
A．0～90°
B.0～120°
C.0～150°
D.0～180°
15.()單相半波可控整流電路，阻性負載，當α=（D）時(shí)，Ud=0。
A．90°
B.120°
C.150°
D.180°
16.()單相半波可控整流電路，阻性負載，當α=（D）時(shí)，Ud=0.45U2。
A．0°
B.90°
C.150°
D.180°
17.()單相半波可控整流電路，阻性負載，晶閘管承受的最大正反向電壓均為（C）。
A．U2
B.U2
C.U2
D.2U2
18.（）單相半波可控整流電路，帶電阻性負載R，設變壓器二次側相電壓有效值為U2，則直流輸出電流平均值為（C）。
A.0.45
B.0.225(1+COSa)
C.0.9(1+COSa)
D、0.45
19.()單相半波可控整流電路，帶電阻性負載，設變壓器二次側相電壓有效值為U2，則直流輸出電壓平均值為（B）。
A.0.45U2
B.0.9U2(1+COSa)
C.0.9U2
D.0.45U2
20.()單相半波可控整流電路，阻感性負載時(shí)，在負載兩端并聯(lián)續流二極管的作用是（B）。
A．使α的移相范圍加大。
B.使Ud不再出現負的部分。
C.保護可控硅不被擊穿。
D.減小可控硅承受的最大反向電壓。
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