模擬電子技術(shù)基礎的ppt

模擬電子技術(shù)基礎的ppt

　　模擬電子技術(shù)以晶體管、場(chǎng)效應管等電子器件為基礎，以單元電路、集成電路的分析和設計為主導，研究各種不同電路的結構、工作原理、參數分析及應用。

　　一、模擬電子技術(shù)基礎

　　1、模擬信號

　　我們將連續性的信號稱(chēng)為模擬信號，而將離散型的信號稱(chēng)為數字信號。

　　2、模擬電路

　　模擬電路是對模擬信號進(jìn)行處理的電路，其最基本的處理是對信號的放大，含有功能和性能各異的放大電路。

　　二、模擬電子技術(shù)基礎- -電子信息系統的組成

　　電子信息系統由信號的提取、信號的預處理、信號的加工和信號的驅動(dòng)與執行四部分構成，如下圖所示。

　　三、模擬電子技術(shù)基礎

　　1、基本概念

　　導體：極易導電的物體;

　　絕緣體：幾乎不導電的物體;

　　半導體：導電性介于導體和絕緣體之間的物質(zhì);

　　2、本征半導體

　　共價(jià)鍵：在硅和鍺的結構中，每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵，共用一對價(jià)電子;

　　自由電子：由于熱運動(dòng)，具有足夠能量而掙脫共價(jià)鍵束縛的價(jià)電子;

　　空穴：由于自由電子的產(chǎn)生，使得共價(jià)鍵中產(chǎn)生的空位置;

　　復合：自由電子與空穴相碰同時(shí)消失的現象;

　　載流子：運載電荷的粒子;

　　導電機理：在本征半導體中，電流包括兩部分，一部分是自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流，另一部分是由空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流，因此，本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子濃度越高，本征半導體導電能力越強。

　　3、本征半導體

　　共價(jià)鍵：在硅和鍺的結構中，每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵，共用一對價(jià)電子;

　　自由電子：由于熱運動(dòng)，具有足夠能量而掙脫共價(jià)鍵束縛的價(jià)電子;

　　空穴：由于自由電子的產(chǎn)生，使得共價(jià)鍵中產(chǎn)生的空位置;

　　復合：自由電子與空穴相碰同時(shí)消失的現象;

　　載流子：運載電荷的粒子;

　　導電機理：在本征半導體中，電流包括兩部分，一部分是自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流，另一部分是由空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流，因此，本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子濃度越高，本征半導體導電能力越強。

　　四、課程特色：

　　以實(shí)際材料為例，迅速講解相關(guān)知識，舉例大量的實(shí)際電路知識，圖示性強。能使人很清晰的看懂知識點(diǎn)。

　　第一章：直流穩壓電源的制作與調試(第1-12課時(shí))

　　第二章：分立元件放大電路分析與調試(第12-30課時(shí))

　　第三章：集成運算放大器基礎及負反饋電路(第31-37課時(shí))

　　第四章：集成運算放大器的應用(第38-49課時(shí))

　　第五章：功率放大電路(第50-58課時(shí))

　　第六章：正弦波振蕩電路(第59-63課時(shí))

　　第七章：光電子器件及其應用(第64-68課時(shí))

　　第八章：晶閘管及其應用電路(第69-76課時(shí))

【模擬電子技術(shù)基礎的ppt】相關(guān)文章：

模擬電子技術(shù)的基礎07-01

模擬電子技術(shù)基礎考試07-01

模擬電子技術(shù)基礎總結07-02

模擬電子技術(shù)基礎目錄07-02

電子技術(shù)基礎模擬試卷07-02

模擬電子技術(shù)基礎問(wèn)題11-25

模擬電子技術(shù)基礎知識01-29

模擬電子技術(shù)基礎知識考點(diǎn)12-30

電子技術(shù)基礎07-02

《模擬電子技術(shù)》模擬試題四07-03