關(guān)于新能源的環(huán)保論文
采用安森美的NCP5*產(chǎn)品，在獲得精確匹配電流后，能精確驅動(dòng)任何顯示屏背光或小功率手電筒中的一組四個(gè)led。由連接著(zhù)IREF引腳和接地的外部電阻器設定輸出電流后，啟動(dòng)引腳直接控制芯片。此輸出端提供給每個(gè)LED恒定的電流，使之在幾百微秒內上升到設定值，借助參考引腳實(shí)現LED電流漸進(jìn)啟動(dòng)/停止。這種定制照明系統狀態(tài)的方法相對簡(jiǎn)便，并已獲廣泛應用。本應用描述了該漸進(jìn)技術(shù)相關(guān)的電路。 參考電流 輸出電流是通過(guò)設定流入外部電阻器的參考電流來(lái)設定的。如圖1所示，內部子電路提供外部電阻600mV的偏置電壓。IREF引腳上的電壓通過(guò)連接到NMOS M3的運算放大器U1和根據精確內置帶隙電壓基準產(chǎn)生的600mV參考電壓進(jìn)行調節。流經(jīng)外部電阻器R2的電流通過(guò)PMOS M1 &M2產(chǎn)生鏡像，在硅片級調整M1/M2大小，獲取1:10的比例。如此，M1流過(guò)1mA時(shí)，M2漏極可產(chǎn)生10mA。 電流流經(jīng)NMOSM4/M5產(chǎn)生的電流鏡像，這兩個(gè)器件的凈比例為1:25，此時(shí)10mA可在M5漏極產(chǎn)生250mA電流。由于外部LED連接到該漏極，因而流入LED的電流即為漏極電流，且該值僅與外部電阻器設定的參考電流和M1/M5總比率的乘積有關(guān)。 顯然，子電路設計用于支持應用中需要的參考電流水平。由于每個(gè)LED最大負載電流為25mA，參考電流最大值為100mA。如果外部電阻器下降到5.2kΩ以下，參考電流將下降，且LED電流不能進(jìn)一步增大，參見(jiàn)NCP5*數據表中的公差。 上電次序 假設芯片連接到適當的電源（置Vbat最小值為3V，最大值為5.5V），啟動(dòng)引腳設置為高時(shí)，內置系統被啟動(dòng)，參見(jiàn)圖2。此時(shí)，外部?jì)δ茈娙莩潆娡瓿汕�，LED無(wú)電流流過(guò)，Vout電壓必須高于正向電流產(chǎn)生前的LEDVf。另一方面，有意限制電池的啟動(dòng)輸入電流，儲能電容上電壓的上升時(shí)間同樣受到限制，而啟動(dòng)LED需要200ms。當然，對肉眼來(lái)說(shuō)，200ms極快，同時(shí)對最終用戶(hù)來(lái)說(shuō)，該照明轉瞬即逝。 另一方面，若LED關(guān)斷，或正向電流關(guān)閉，儲能電容緩慢放電：轉換器不會(huì )從零重新啟動(dòng)，無(wú)需200ms也可達到LED Vf。 漸進(jìn)啟動(dòng)/停止過(guò)程 基本概念是當啟用信號設置為高或低時(shí)，逐漸打開(kāi)/關(guān)閉LED，而不使用MCU端口上額外的輸入/輸出引腳。由于芯片未集成可編程寄存器，不可能用純數字的方法提供該功能。替代方法是采用連接內置參考電流的模擬結構以控制LED電流。 可以用偽鏡像結構中的NPN晶體管開(kāi)發(fā)簡(jiǎn)單的應用，強制參考電流按照如圖3的PSPICE模型所示流入IREF引腳。電流鏡像代表NCP5*電路，漸進(jìn)功能用晶體管Q1和相連網(wǎng)絡(luò )實(shí)現。電阻R2形成最大參考電流，從而實(shí)現LED最大正
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