- 模具設計與制造實(shí)習報告 推薦度：
- 相關(guān)推薦
模具設計實(shí)習報告
篇一：ARM實(shí)習報告感想
通過(guò)這次模具設計，本人在多方面都有所提高。通過(guò)這次設計，綜合運用本專(zhuān)業(yè)所學(xué)課程的理論和實(shí)際知識進(jìn)行設計,提高學(xué)生獨立工作能力，鞏固與擴充了ARM等課程所學(xué)的內容，掌握ARM設計的方法和步驟，同時(shí)各科相關(guān)的課程都有了全面的復習，獨立思考的能力也有了提高。在短短的一個(gè)星期中，讓我們初步讓理性回到感性的重新認識，也讓我們初步的認識了這個(gè)社會(huì )，對于以后做人所應把握的方向也有所啟發(fā),體現出團隊課程設計的能力以及綜合運用知識的能力，體會(huì )了學(xué)以致用、突出自己勞動(dòng)成果的喜悅心情，從中發(fā)現自己平時(shí)學(xué)習的不足和薄弱環(huán)節，從而加以彌補。
本次實(shí)習使我親身感受了所學(xué)知識與實(shí)際的應用，理論與實(shí)際的相結合，讓我們大開(kāi)眼界，也算是對以前所學(xué)知識的一個(gè)初審吧!這次生產(chǎn)實(shí)習對于我們以后學(xué)習、工作也真是受益菲淺。通過(guò)這次為期一周的課程設計，在不斷的失敗和努力中，鍛煉了我們的動(dòng)手能力，培養了團隊協(xié)作及永不放棄、不屈不撓的精神。并且使我們對ARM的知識得到了進(jìn)一步的提高，同時(shí)也補充了我們對電機控制的相關(guān)知識。
這次課程實(shí)際僅僅是基于A(yíng)RM微處理器應用的一個(gè)開(kāi)端，在這期間我們還有很多的不足，比如不能完成引腳的最優(yōu)連接，不能完成硬件系統和軟件程序的自主設置和編寫(xiě)，但我相信通過(guò)以后對ARM嵌入式系統的繼續學(xué)習，自己會(huì )得到進(jìn)一步的提高。我會(huì )把這此實(shí)習作為我人生的起點(diǎn)，在以后的工作學(xué)習中不斷要求自己，完善自己，讓自己做的更好。
篇二：ARM實(shí)習報告
ARM嵌入式系統綜合設計
一、實(shí)習時(shí)間和地點(diǎn)安排
1、實(shí)習時(shí)間：2012年12月03 日 —— 2012年12月14日，共兩周的時(shí)間。
2、每天的實(shí)習時(shí)間安排：
上午：8：30——11：30
下午：13：30——15：30
3、實(shí)習地點(diǎn)：校內。
二、實(shí)習目的
1、掌握電子元器件的焊接原理和方法。
2、掌握ARM7 LPC2132控制程序的編寫(xiě)方法。
3、掌握調試軟件和硬件的方法。
三、實(shí)習內容與要求
1、根據設計要求焊接好電路板并測試焊接無(wú)誤。
2、繪制流程圖并編寫(xiě)程序。
3、編譯通過(guò)后，將程序下載到LPC2132進(jìn)行調試。
4、調試成功后編寫(xiě)實(shí)習報告。
四、LPC2132芯片介紹
LPC2132最小系統圖及其介紹
概述
LPC2132是基于一個(gè)支持實(shí)時(shí)仿真和嵌入式跟蹤的32/16 位 ARM7TDMI-STM CPU 的微控制器，并帶有 32kB、64kB、512 kB 的嵌入的高速
Flash 存儲器。128 位寬度的存儲器接口和獨特的加速結構使 32 位代碼能夠
在最大時(shí)鐘速率下運行。對代碼
規模有嚴格控制的應用可使用 16 位 Thumb?
模式將代碼規模降低超過(guò) 30%，而性能的損失卻很小。
較小的封裝和極低的功耗使 LPC2131/2132/2138 可理想地用于小型系統中，如訪(fǎng)問(wèn)控制和 POS 機。寬范圍的串行通信接口和片內 8/16/32kB 的 SRAM 使 LPC2131/2132/2138 非常適用于通信網(wǎng)關(guān)、協(xié)議轉換器、軟 modem 、聲音辨別和低端成像，為它們提供巨大的緩沖區空間和強大的處理功能。多個(gè) 32 位定時(shí)器、1 個(gè)或 2 個(gè) 10 位 8 路 ADC 、10 位 DAC 、PWM 通道和 47 個(gè) GPIO 以及多達9 個(gè)邊沿或電平觸發(fā)的外部中斷使它們特別適用于工業(yè)控制和醫療系統。
特性
1、小型 LQFP64 封裝的 16/32 位 ARM7TDMI-S 微控制器。
2、8/16/32kB 片內靜態(tài) RAM 。
3、片內 Boot 裝載軟件實(shí)現在系統/在應用中編程（ISP/IAP ）。扇區擦除或整片擦除的時(shí)間為400ms ，1ms 可編程 256 字節。
4、EmbeddedICE?RT 和嵌入式跟蹤接口可實(shí)時(shí)調試（利用片內 RealMonitor軟件）和高速跟蹤執行代碼。
5、1 個(gè)（LPC2132/2132 ）或2 個(gè)（LPC2138 ）8 路 10 位 A/D 轉換器共包含 16 個(gè)模擬輸入，每個(gè)通道的轉換時(shí)間低至 2.44us 。
6、1 個(gè) 10 位 D/A 轉換器，可提供不同的模擬輸出（LPC2132/2138 ）。
7、 2 個(gè) 32 位定時(shí)器/計數器（帶 4 路捕獲和 4 路比較通道）、PWM 單元（6 路輸出）和看門(mén)狗。
8、實(shí)時(shí)時(shí)鐘具有獨立的電源和時(shí)鐘源，在節電模式下極大地降低了功耗。
9、多個(gè)串行接口，包括 2 個(gè) 16C550 工業(yè)標準 UART 、2 個(gè)高速 I2C 接口（400 kbit/s ）、SPITM 和 SSP（具有緩沖功能，數據長(cháng)度可變）。
10、向量中斷控制器�？膳渲脙�(yōu)先級和向量地址。
11、多達 47 個(gè) 5V 的通用I/O 口（LQFP64 封裝）。
12、 9 個(gè)邊沿或電平觸發(fā)的外部中斷引腳。
13、 通過(guò)片內 PLL 可實(shí)現最大為 60MHz 的 CPU 操作頻率，PLL 的穩定時(shí)間為 100us。
14、片內晶振頻率范圍：1~30 MHz。
15、2 個(gè)低功耗模式：空閑和掉電。
16、可通過(guò)個(gè)別使能/禁止外部功能和降低外部時(shí)鐘來(lái)優(yōu)化功耗。
17、通過(guò)外部中斷將處理器從掉電模式中喚醒。
18、單個(gè)電源供電，含有上電復位（POR ）和掉電檢測（BOD ）電路：－CPU
操作電壓范圍：3.0~3.6 V (3.3 V+/ － 10%) ，I/O 口可承受5V 的最
大電壓。
結構概述
LPC2132包含一個(gè)支持仿真的 ARM7TDMI-S CPU 、與片內存儲器控制器接口
的 ARM7 局部總線(xiàn)、與中斷控制器接口的 AMBA 高性能總線(xiàn) （AHB ）和連接片內外設功能的 VLSI 外設總線(xiàn) （VPB ，ARM AMBA 總線(xiàn)的兼容超集）。
LPC2131/2132/2138 將 ARM7TDMI-S 配置為小端（little-endian ）字節順序。 AHB 外設分配了 2M 字節的地址范圍，它位于 4G 字節 ARM 存儲器空間的最頂端。每個(gè) AHB 外設都 分配了 16k 字節的地址空間。LPC2131/2132/2138 的外設功能 （中斷控制器除外）都連接到 VPB 總線(xiàn)。AHB 到 VPB 的橋將 VPB 總線(xiàn)與 AHB 總線(xiàn)相連。VPB 外設也分配了 2M 字節的地址范圍，從 3.5GB 地址點(diǎn)開(kāi)始。每個(gè) VPB 外設在 VPB 地址空間內都分配了 16k 字節地址空間。
片內外設與器件管腳的連接由管腳連接模塊控制。該模塊必須由軟件進(jìn)行控制以符合外設功能與管腳在特定應用中的需求。
ARM7TDMI-S 處理器
ARM7TDMI-S 是通用的 32 位微處理器，它具有高性能和低功耗的特性。ARM 結構是基于精簡(jiǎn)指令集 計算機(RISC)原理而設計的。指令集和相關(guān)的譯碼機制比復雜指令集計算機要簡(jiǎn)單得多。這樣使用一個(gè)小的、廉價(jià)的處理器核就可實(shí)現很高的指令吞吐量和實(shí)時(shí)的中斷響應。
由于使用了流水線(xiàn)技術(shù)，處理和存儲系統的所有部分都可連續工作。通常在執行一條指令的同時(shí)對下 ，一條指令進(jìn)行譯碼，并將第三條指令從存儲器中取出。
ARM7TDMI-S 處理器使用了一個(gè)被稱(chēng)為 THUMB 的獨特結構化策略，它非常適用于那些對存儲器有限制或者需要較高代碼密度的大批量產(chǎn)品的應用。
在 THUMB 后面一個(gè)關(guān)鍵的概念是“超精簡(jiǎn)指令集”�；旧�，ARM7TDMI-S 處理器具有兩個(gè)指令集：標準 32 位 ARM 指令集 、16 位 THUMB 指令集
THUMB 指令集的 16 位指令長(cháng)度使其可以達到標準 ARM 代碼兩倍的密度，卻仍然保持 ARM 的大多 數性能上的優(yōu)勢，這些優(yōu)勢是使用 16 位寄存器的 16 位處理器所不具備的。因為 THUMB 代碼和 ARM 代碼一樣，在相同的 32 位寄存器上進(jìn)行操作。THUMB 代碼僅為 ARM 代碼規模的 65%，但其性能卻相當于連接到 16 位存儲器系統的相同 ARM 處理器性能的 160%。
片內 FLASH 程序存儲器
LPC2131/2132/2138 分別含有 32kB、64kB 和 512kB 的FLASH 存儲器系統。該存儲器可用作代碼和數據的存儲。對 FLASH 存儲器的編程可通過(guò)幾種方法來(lái)實(shí)現：通過(guò)內置的串行 JTAG 接口，通過(guò)在系統編程（ISP ）和 UART0 ，或通過(guò)在應用編程（IAP ）。使用在應用編程的應用程序也可以在應用程序運行時(shí)對FLAH 進(jìn)行擦除和/ 或編程，這樣就為數據存儲和現場(chǎng)固件的升級都帶來(lái)了極大的靈活性。如果LPC2131/2132/2138 使用了片內引導裝載程序（bootloader ），32/64/512kB 的 Flash 存儲器就可用來(lái)存放用戶(hù)代碼。 LPC2131/2132/2138 的Flash 存儲器至少可擦除/編程 10,000 次，保存數據的時(shí)間長(cháng)達 10 年。 片內靜態(tài) RAM
片內靜態(tài) RAM （SRAM ）可用作代碼和/ 或數據的存儲，支持 8位、16 位和32 位的訪(fǎng)問(wèn)。LPC2131/2132/2138 含有 8/16/32kB 的靜態(tài)RAM 。 LPC2131/2132/2138 SRAM 是一個(gè)字節尋址的存儲器。對存儲器進(jìn)行字和半字訪(fǎng)問(wèn)時(shí)將忽略地址對準，訪(fǎng)問(wèn)被尋址的自然對準值（因此，對存儲器進(jìn)行字訪(fǎng)問(wèn)時(shí)將忽略地址位 0 和 1，半字訪(fǎng)問(wèn)時(shí)將忽略地址位 0 ）。因此，有效的讀寫(xiě)操作要求半字數據訪(fǎng)問(wèn)的地址線(xiàn)0 為 0（地址以0、2 、4 、6、8、A 、C 和 E 結尾），字 數據訪(fǎng)問(wèn)的地址線(xiàn) 0 和 1 都為 0 （地址以0、4 、8 和 C 結尾）。該原則同樣用于片外和片內存儲器。SRAM 控制器包含一個(gè)回寫(xiě)緩沖區，它用于防止 CPU 在連續的寫(xiě)操作時(shí)停止運行�；貙�(xiě)緩沖區總是保存著(zhù)軟件發(fā)送到 SRAM
的最后一個(gè)字節。該數據只有在軟件請求下一次寫(xiě)操作時(shí)才寫(xiě)入 SRAM （數據只有 在軟件執行另外一次寫(xiě)操作時(shí)被寫(xiě)入 SRAM）。如果發(fā)生芯片復位，實(shí)際的SRAM 內容將不會(huì )反映最近一 次的寫(xiě)請求（即：在一次“熱”芯片復位后，SRAM 不會(huì )反映最后一次寫(xiě)入的內容）。任何在復位后檢查 SRAM 內容的程序都必須注意這一點(diǎn)。通過(guò)對一個(gè)單元執行兩次相同的寫(xiě)操作可保證復位后數據的寫(xiě)入�；蛘�，也可通過(guò)在進(jìn)入空閑或掉電模式前執行虛寫(xiě)（dummy write ）操作來(lái)保證最后的數據在復位后被真正寫(xiě)入到 SRAM。
LPC2132管腳分布
五、硬件原理圖
其中K1-K6為六個(gè)按鍵，分別對應清零鍵、減號鍵、第二個(gè)數字鍵、等號鍵、加號鍵和第一個(gè)數字鍵，接到I/O口的P0.08-P0.13腳。P0.00-P0.07號腳接段碼，分別是G、F、E、D、C、B、A、DP。三個(gè)數碼管的位選通端接到P0.28-P0.30三個(gè)管腳上，用于選通數碼管。
ULN2803應用電路介紹
ULN2000、ULN2800是高壓大電流達林頓晶體管陣列系列產(chǎn)品,具有電流增益高、工作電壓高、溫度范圍寬、帶負載能力強等特點(diǎn),適應于各類(lèi)要求高速大功率驅動(dòng)的系統。ULN2003A電路是美國Texas Instruments公司和Sprague公司開(kāi)發(fā)的高壓大電流達林頓晶體管陣列電路,文中介紹了它的電路構成、特征參數及典型應用。
功率電子電路大多要求具有大電流輸出能力,以便于驅動(dòng)各種類(lèi)型的負載。功率驅動(dòng)電路是功率電子設備輸出電路的一個(gè)重要組成部分。在大型儀器儀表系統中,經(jīng)常要用到伺服電機、步進(jìn)電機、各種電磁閥、泵等驅動(dòng)電壓高且功率較大的器件。ULN2000、ULN2800高壓大電流達林頓晶體管陣列系列產(chǎn)品就屬于這類(lèi)可控大功率器件,由于這類(lèi)器件功能強、應用范圍語(yǔ)廣。因此,許多公司都生產(chǎn)高壓大電流達林頓晶體管陣列產(chǎn)品,從而形成了各種系列產(chǎn)品,ULN2000、ULN2800系列就是美國Texas Instruments公司、美國Sprague公司開(kāi)發(fā)的高壓大電流達林頓晶體管陣列產(chǎn)品。它們的系列型號分類(lèi)如表1所列,生產(chǎn)2000、2800高壓大電流達林頓晶體管陣列系列產(chǎn)品的公司與型號對照表如表2所列。在上述系列產(chǎn)品中,ULN2000系列能夠同時(shí)驅動(dòng)7組高壓大電流負載,ULN2800系列則能夠同時(shí)驅動(dòng)8組高壓大電流負載。美國Texas Instruments公司、美國Sprague公司生產(chǎn)的ULN2003A由7組達林頓晶體管陣列和相應的電阻網(wǎng)絡(luò )以及鉗位二極管網(wǎng)絡(luò )構成,具有同時(shí)驅動(dòng)7組負載的能力,為單片雙極型大功率高速集成電路。以下介紹該電路的構成、性能特征、電參數以及典型應用。2000、2800高壓大電流達林頓晶體管陣列系列中的其它產(chǎn)品的性能特性與應用可參考ULN2003A。本設計的驅動(dòng)電路如圖所示：
在本實(shí)習
中的應用
篇三：ARM實(shí)習報告
嵌入式課程設計與總結報告
摘要
通過(guò)嵌入式控制系統的實(shí)習，使我們了解并掌握根據嵌入式控制系統項目要求，如何設計符合控制邏輯的原理圖，復合原理圖及電子電氣EMC的PCB圖，學(xué)習電子元器件的焊接，PCB板的調試等，最終掌握嵌入式控制系統的設計及工藝等。
一、設計實(shí)習任務(wù)
1. 焊接ARM7（LPC2132）最小系統PCB。要求仔細認真焊接，并調試使其能正常工作（提供最簡(jiǎn)易測試程序）。
2. 設計數碼管動(dòng)態(tài)掃描顯示電路，三個(gè)按鍵的鍵盤(pán)電路，模擬電壓取樣電路等。要求原理圖設計合理，要求有與最小系統板的接口，正確焊接，調試后能正常工作。
3. 控制軟件設計
在嵌入式控制系統的設計中，系統控制軟件的設計是一項非常重要且艱巨的工作，系統能否正�？煽康墓ぷ�，成敗在此一舉。因此要求同學(xué)們認真仔細的設計、調試控制軟件。要求軟件語(yǔ)句精煉，整體健壯，有一定的抗干擾能力。
二、數碼管動(dòng)態(tài)掃描顯示電路控制軟件設計
要求顯示電路能正常顯示數據，數碼管無(wú)閃爍，明亮，可隨時(shí)刷新顯示的數據。
三．鍵盤(pán)識別軟件設計
嵌入式控制系統一般的是配備簡(jiǎn)易鍵盤(pán)，即根據需要設3~4按鍵基本能滿(mǎn)足使用要求，因此鍵盤(pán)控制軟件也是必須的
四、ADC控制軟件設計
五、 電路與程序
【模具設計實(shí)習報告】相關(guān)文章：
模具設計實(shí)踐報告06-27
模具設計制造的實(shí)習心得06-27
模具設計實(shí)習日記范文07-04
模具設計與制造實(shí)訓報告07-03
模具設計與制造07-24
沖壓模具設計11-22
模具設計經(jīng)典總結11-13