單晶拉制作業(yè)指導書(shū)

單晶拉制作業(yè)指導書(shū)

　　一、取單晶準備

　　1、準備好線(xiàn)手套、耐高溫手套、無(wú)塵紙；

　　2、準備好鋼絲鉗、取單晶的小車(chē)；

　　3、用沾酒精的無(wú)塵紙將爐體從上到下擦拭干凈，并保持整潔；

　　二、拆爐取單晶

　　1、待單晶冷卻4小時(shí)后，關(guān)閉Ar氣，然后提升單晶至副室，從副室觀(guān)察窗確認單晶升至所需高度；

　　2、待爐內壓力到達極限真空后，先關(guān)閉主泵球閥后關(guān)閉真空泵電源，然后進(jìn)行檢漏；

　　3、若無(wú)異常，擰開(kāi)小副室門(mén)四個(gè)螺栓，打開(kāi)副室氬氣閥門(mén)，查看副室壓力表指針到0位和副室小門(mén)可以被打開(kāi)時(shí)，才可以升晶棒到副室腔內并高于副室門(mén)，蓋上隔離閥，打開(kāi)液壓泵電源，升起副室；

　　4、把取單晶的小車(chē)放在副室爐筒正下方，準備接單晶；

　　5、穩定單晶，移開(kāi)安全接盤(pán)，按下晶快降，將單晶降入取晶小車(chē)內；

　　6、確認單晶完全放入小車(chē)內后，戴上手套，抓緊重錘，用鋼絲鉗將籽晶從細徑處剪斷，然后穩定重錘，將籽晶從重錘上取下，再將重錘升至副室內；

　　三、導流筒.保溫蓋.鍋底料的取出

　　1、準備好不銹鋼小車(chē)和取導流筒掛鉤（堝桿扳手）；

　　2、戴好手套及耐高溫手套；

　　3、按順序取出導流筒和保溫蓋；

　　4、取出的石墨件要放在不銹鋼臺車(chē)上；

　　1、戴好耐高溫手套和準備好鉗子；

　　2、用鉗子夾住石英堝的上端部分提起，使其松動(dòng)；

　　3、戴好耐高溫手套將石英坩堝取出，若石英坩堝和堝底料能全部帶出直接放入不銹鋼小車(chē)上；若不能則將石英坩堝硅料放到車(chē)間指定的區域，剩下的堝底料隨三瓣堝一并取出，若出現整爐報廢等意外情況則，用耐高溫手套直接將石英堝體和硅料一并取出；

　　四、清理大罐

　　1、準備好毛刷、吸管、專(zhuān)用工具；

　　2、帶好手套、防塵口罩；

　　1、用專(zhuān)用工具大罐蓋螺栓，取出罐蓋和過(guò)濾網(wǎng)；

　　2、用毛刷和吸塵器仔細清掃過(guò)濾網(wǎng)及大罐內的氧化物；

　　3、將清掃后的過(guò)濾網(wǎng)緩慢放進(jìn)大罐；

　　4、用刷子和吸塵器清掃罐蓋；

　　5、用沾酒精的紙擦拭罐蓋和密封部件；

　　6、蓋好大罐蓋并用專(zhuān)用工具擰緊螺栓；

　　五、管道爐蓋的清理

　　1、帶口罩、手套；

　　2、準備好防塵口罩、無(wú)塵紙、酒精、清掃用的氬氣、研磨布、毛刷、吸塵器管等清掃所需物品；

　　1、用毛刷和吸塵器清掃抽氣管道內的揮發(fā)物，吸塵器管必須伸入管道底部以便將管道內的揮發(fā)物徹底吸盡；

　　2、安裝管道蓋時(shí)，一定要檢查密封圈是否完好、潔凈，擰緊螺絲時(shí)一定要對角擰緊，以防抽空時(shí)漏氣。

　　六、小付室的清掃

　　1、打開(kāi)副爐室門(mén)；

　　2、用沾有酒精的無(wú)塵紙擦拭小付室的附著(zhù)物；

　　七、石墨件的清理

　　1、準備好清掃用品（毛刷、無(wú)塵紙、氬氣、吸塵器管、研磨布、除硅點(diǎn)的專(zhuān)有工具、放石墨件的潔凈小車(chē)等）帶好手套、防塵口罩；

　　2、依次用毛刷、吸塵器、無(wú)塵紙、清掃石墨件，直至確認無(wú)污物；爐內的清理

　　1、準備好毛刷、吸塵器和專(zhuān)用工具；

　　2、用專(zhuān)用工具仔細地疏通廢氣孔，用吸管吸凈爐筒和保溫材料及加熱器上沿拆爐時(shí)落掉的殘渣；

　　3、用毛刷和吸管仔細用力清掃保溫筒，加熱器所能觸及到的部位；

　　八、 安裝石墨件

　　1、依次安裝石墨件 堝桿.堝托.三瓣堝.安裝石英堝

　　1、 打開(kāi)石英坩堝包裝，對光檢查石英坩堝的內壁有無(wú)裂紋、污物、氣泡和黑點(diǎn)；

　　2、 若無(wú)異常，用氬氣對石英坩堝做認真仔細的整體吹掃，吹凈浮塵；

　　3、 在爐內的石墨堝上裝好石英坩堝；裝料

　　1、 將母合金放入石英坩堝內；

　　2、 在堝底平鋪小型硅料，然后將大型硅料放在上面；

　　3、 在大型硅料之間的間隙里填充小型硅料；

　　4、 在大塊硅料裝完后，再裝中型硅料；

　　5、 在裝料到石英坩堝最上層時(shí)，中型硅塊料靠坩堝壁盡量以點(diǎn)接觸，避免面接觸，造成掛邊；

　　6、 最后將硅料堆成錐形狀，有利于放導流筒；

　　安裝導流筒及保溫蓋

　　1、 裝料完成后堝轉為2/RPM左右旋轉，查看坩堝旋轉情況；

　　2、 清掃周邊（堝上部、加熱器上部、保溫材料上部、爐蓋接合部）用干凈吸塵器吸凈灰塵及硅渣；

　　3、 確認無(wú)摩擦快速將堝降至下限，堝降到位后，停止堝轉，裝好保溫蓋、導流筒；爐蓋的清掃

　　1、 用沾有酒精的無(wú)塵紙擦拭爐蓋接合部、爐筒的接合部的封密圈并檢查，確認無(wú)問(wèn)題后，將爐蓋旋轉至爐筒上部；打開(kāi)液壓泵電源，按爐蓋降按鈕下?tīng)t蓋副室的清掃

　　1、 準備好清掃棒、無(wú)塵紙、酒精、氬氣；

　　2、 在清掃棒上纏上沾有酒精的無(wú)塵紙，清掃副室內部至上部；

　　3、 用清掃棒吹掃副室內部至上部，直至確認無(wú)污物；

　　4、 用沾有酒精的無(wú)塵紙認真擦拭重錘及鉬夾頭，最后用氬氣認真吹凈；

　　5、 按晶快升升起重錘至適當位置，用沾有酒精的無(wú)塵紙擦拭副室下部的接合部和爐蓋上部的接合部，轉動(dòng)副室，降下與爐蓋合爐；安裝籽晶

　　1、 用沾有酒精的無(wú)塵紙認真擦拭籽晶，并用氬氣吹凈；

　　2、 把籽晶裝在夾頭上，裝好鉬銷(xiāo)；

　　3、 用力向下拽一下籽晶使其牢固，穩定好籽晶后，按晶快升使其上至適當位置，關(guān)閉副室小門(mén)，開(kāi)始抽空；

　　抽空

　　1. 打開(kāi)真空泵電源；

　　2. 緩慢打開(kāi)球閥；

　　3. 抽空后爐內力達＜20Pa時(shí)，進(jìn)行反復充氬氣，使爐內壓力＜10Pa；

　　4. 關(guān)閉真空球閥，進(jìn)行冷檢漏3分鐘，看漏率是否小于1Pa；

　　加熱化料

　　1、 抽空完成后，漏率達到要求后，打開(kāi)真空球閥，打開(kāi)氬氣閥門(mén)，設定流量為20升/

　　分，使爐內壓力達到1000Pa左右；

　　2、 確認單晶爐進(jìn)水、出水開(kāi)關(guān)打開(kāi)，并檢查各進(jìn)水分支開(kāi)關(guān)已打開(kāi)；

　　3、 打開(kāi)加熱電源開(kāi)關(guān)；

　　4、 根據通過(guò)歐陸手動(dòng)狀態(tài)的OP功能每半小時(shí)，分步增加功率；(10、30、70、90KW)  引晶溫度調試

　　1、溫度切入自動(dòng)后，按晶快降，將籽晶降至從主觀(guān)察窗能看到的位置；

　　2、20分鐘后，按晶快降按鈕將籽晶降至距液面20mm處預熱20分鐘；

　　3、降籽晶使之與液面接觸，晶轉設定為8 轉/分，熔接10分鐘，根據接觸光圈的形狀（光

　　圈圓合適，方不合適溫度低），確定引頸溫度是否合適，若合適開(kāi)始引頸，若不合適，通過(guò)歐陸調整溫度20分鐘后開(kāi)始引頸，溫度不宜偏低；

　　引晶

　　1、 打開(kāi)晶升電源，計長(cháng)清零；給定堝轉至7 轉/分.；

　　2、 緩慢提升拉速至1.5mm/min左右10mm后，提升拉速，讓拉速保持在

　　1.5mm/min----6mm/min之間，引頸直接控制在3mm左右，引頸長(cháng)度不低于150mm.；

　　3、 引晶過(guò)程中若溫度不適，可進(jìn)行手到調節溫度，但不宜過(guò)大；

　　放肩

　　1、引頸達到預定的長(cháng)度后，緩慢降低拉速直至0.7mm/min進(jìn)行放肩；

　　2、放肩務(wù)必要放平肩，放肩時(shí)用溫校速率來(lái)調節溫度；

　　轉肩

　　1、 將肩放到適當直徑時(shí)，將拉速緩慢提高；

　　2、 密切關(guān)注單晶的生長(cháng)速度，適當增減拉速；

　　3、 待單晶生長(cháng)到目標直徑時(shí)緩慢降低拉速，同時(shí)適當給定堝跟隨動(dòng)；

　　轉肩結束后，計長(cháng)清零，實(shí)時(shí)觀(guān)察單晶生長(cháng)情況待其生長(cháng)穩定后，調整伊爾根，使其壓?jiǎn)尉Ч馊?/3—1/2之間的位置，數字信號大小為350-450左右；

　　4、 調整好拉速和溫度，將計算機切入等徑控制和溫度控制自動(dòng)狀態(tài)。

　　等徑

　　1、計算機切入自動(dòng)控制后認真作好各項記錄；

　　2、等徑過(guò)程中應時(shí)常觀(guān)察爐內單晶生長(cháng)情況，每隔15分鐘對爐內巡視一次，確定有無(wú)異常，每一個(gè)小時(shí)做一次拉晶記錄；

　　收尾

　　1、當晶體長(cháng)達到達預定長(cháng)度或堝內剩料少時(shí)，等徑和溫度自控手動(dòng)退出，慢慢的降堝跟停止堝升進(jìn)行收尾；

　　2、要經(jīng)常檢看收尾情況，對拉速和溫度做適當調整；

　　3、收尾長(cháng)度應為晶體直徑的大小，收成尖尾后使單晶脫離液面，轉入晶體冷卻工序；

　　4、單晶脫離液面時(shí)，按堝降快速，使之脫離

　　停加熱

　　1、收尾完成后，按下堝快降鍵，下降20mm后確認堝快降停止，不成晶時(shí)下降30mm.；

　　2、晶升拉速調整到1.0mm/min，使單晶自動(dòng)上升；

　　3、歐陸歸0；

　　4、調整計算機各參數，使之恢復初始狀態(tài)

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