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關(guān)于電路設計的畢業(yè)論文
摘要:傳統的過(guò)溫保護電路是通過(guò)調整電阻阻值來(lái)控制熱關(guān)斷閾值溫度的高低，其結構復雜、功耗大、受參數變化影響大。提出了一種新型的過(guò)溫保護電路，電路中不再使用電阻和遲滯比較器，主要采用晶體管、MOS管、電容和邏輯門(mén)電路組成，并可以利用正反饋使電路具有遲滯特性，因而可避免振蕩的發(fā)生和對芯片造成危害。最后，通過(guò)PSPICE仿真說(shuō)明，當電源電壓和工藝參數發(fā)生變化時(shí)，該新型的過(guò)溫保護電路可以很好的抑制溫度升高引起的熱關(guān)斷閾值點(diǎn)漂移，所以廣泛的應用于各種各樣的電路芯片。
關(guān)鍵詞:電路設計畢業(yè)論文
像電源、驅動(dòng)器等集成電路芯片的功耗一般情況下較大，一旦發(fā)生電源短接或電路內部短路等現象，其瞬時(shí)功耗會(huì )急劇增大，從而使芯片溫度不斷升高，芯片將不能正常工作，很可能會(huì )將芯片燒壞。所以為了安全起見(jiàn)，常常在集成電路內部裝有過(guò)溫保護電路，當溫度升高超過(guò)閾值，過(guò)溫保護電路立即使電路芯片停止工作，這樣并不產(chǎn)生功耗，溫度也會(huì )降低，集成電路也不會(huì )被燒壞。傳統的過(guò)溫保護電路主要利用溫度敏感元件來(lái)檢測電路芯片內部溫度的變化[1-13]，當溫度超限時(shí)，啟動(dòng)過(guò)溫保護電路開(kāi)始工作，控制系統關(guān)斷，所以不容易把電路損壞。本文設計了一種新型的過(guò)溫保護電路，由晶體管、MOS管、電容和邏輯門(mén)電路等組成，結構簡(jiǎn)單、功耗低、工作電壓低、抗干擾能力強，對溫度具有遲滯特性，可減小對芯片的危害。運用PSPICE仿真表明，該新型保護電路對因電源電壓或參數變化引起的溫度漂移具有很強的抑制作用。
1、傳統的過(guò)溫保護電路的工作原理
傳統的過(guò)溫保護電路的工作原理是將溫度信號轉換為電壓信號，并對電壓信號做進(jìn)一步處理。由于二極管的導通電壓隨溫度的升高而下降，所以可將4個(gè)二極管相串作為溫度傳感器，如圖1所示。4個(gè)二極管的電流由M1、M2、M3構成的鏡像電流源組成的恒流源提供。電路工作時(shí)，A點(diǎn)電壓會(huì )隨溫度的升高而下降�？梢�(jiàn)，如果溫度發(fā)生變化A點(diǎn)的電壓就會(huì )發(fā)生變化，也就將溫度信號轉換為電壓信號了，再運用遲滯比較器對A點(diǎn)電壓做進(jìn)一步處理，設AT-為下跳變點(diǎn)電壓，AT+為上跳變點(diǎn)電壓，則中間點(diǎn)電壓為AT-+AT+2，調節電路的有關(guān)參數使其中間點(diǎn)電壓等于A(yíng)REF。輸入端電壓低于下跳電壓AT-，輸出為高電平，輸入端電壓高于上跳電壓AT+，輸出為低電平，此時(shí)保護立即解除。也就是說(shuō)，隨著(zhù)溫度的升高，當溫度大于A(yíng)T-對應的溫度時(shí)進(jìn)行保護，當溫度等于A(yíng)T+對應的溫度時(shí)不再進(jìn)行保護。在該電路中，由于遲滯比較器使得電路更加復雜。電路中采用了硅穩壓管，它的兩端電壓在4～7V時(shí)溫度系數特別小，可略去不計，在4V以下具有負的溫度系數，在7V以上具有正的溫度系數。所以電源電壓在4～7V時(shí)，電路可以工作，如果電源電壓更低，該電路就不適用了。
2、新型的過(guò)溫保護電路
針對以上電路的缺點(diǎn)，提出了一種新型的過(guò)溫保護電路，它用最簡(jiǎn)單的電路實(shí)現過(guò)溫保護功能，電路中沒(méi)有電阻，使得熱關(guān)斷閾值溫度達到穩定，電路如圖2所示。常溫下，由于基準電壓VREF比晶體管T的發(fā)射結導通電壓小，晶體管T截止，經(jīng)過(guò)場(chǎng)效應管M1和M2的電流是零電流，因此晶體管T的集電極電位是高電平，故M5的柵極電壓為高電平，M5可以導通，導通之后M5的漏極為低電平，因而反相器N1的輸入信號是低電平，經(jīng)反相器N1和N2作用后，仍然是低電平，此時(shí)直流繼電器K不吸合，開(kāi)關(guān)K仍然打開(kāi)，電路正常工作。非門(mén)N1輸出高電平，故M3柵極電壓也為高電平，M3可以導通。VREF保證較大的溫度范圍內M1、M2的電流均為零，所以電路具有較小的功耗。因為晶體管T的發(fā)射結電壓具有負的溫度特性，故T的發(fā)射結導通壓降隨溫度升高而減小。當溫度升高時(shí)，VREF比T的發(fā)射結導通電壓大，T可以導通，如果溫度繼續升高，三極管T的集電極電位急劇下降，M5的柵極電位降低，M5截止，M5的漏極達到高電平，即反相器N1的輸入端是高電平，經(jīng)反相器N1和N2之后輸出高電平，繼電器K吸合，開(kāi)關(guān)K合上，經(jīng)電阻R降壓之后基準電壓VREF也降低，又一次使三極管T截止，T的集電極電壓也就是M5的柵極電壓是高電平，因而M5導通，M5的漏極電壓即反相器N1的輸入電壓為低電平，經(jīng)N1和N2兩次反相之后，N2的輸出電壓為低電平，直流繼電器K關(guān)斷，開(kāi)關(guān)K打開(kāi)，VREF不變，從而達到過(guò)溫保護的目的[5]。
3、仿真分析
當被測系統工作溫度升到150°時(shí)，該過(guò)溫保護電路輸出高電平，以示關(guān)斷工作電路。當且僅當被測系統工作溫度降為120°時(shí)，該過(guò)溫保護電路輸出低電平，以示電路正常工作。如果電源電壓是2.5V、3.2V、5.7V時(shí)，圖3所示是新型的過(guò)溫保護電路關(guān)斷和遲滯特性曲線(xiàn)�？梢�(jiàn)，電壓較低時(shí)，電路正常工作，電壓改變對關(guān)斷溫度和遲滯影響甚微。在6種不同的邊界條件下，圖4是VDD為3.2V時(shí)過(guò)溫關(guān)斷和遲滯特性曲線(xiàn)，145°～155°是它的溫度變化范圍，115°～125°是遲滯閾值TL的溫度變化范圍。綜上，工藝參數變化時(shí)，熱關(guān)斷閾值TH、遲滯閾值TL基本不變。所以，電源電壓和工藝參數可以抑制熱關(guān)斷閾值溫度點(diǎn)的漂移。
4、結語(yǔ)
針對傳統的過(guò)溫保護電路結構比較復雜、功耗較大、受工藝參數變化影響也較大，提出了一種新型的過(guò)溫保護電路，其功耗低、對電源電壓、參數變化不敏感，并具有很強的抑制作用。最后通過(guò)PSPICE仿真表明，電路的準確性高，可應用于多種集成電路。該電路具有很好的使用價(jià)值和廣闊的發(fā)展前景，值得我們再做進(jìn)一步的研究。
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